זיכרונות DDR3 SDRAM ו- DDR3L במהירות גבוהה

חברת Alliance Memory מציעה קו זיכרונות DRAM סינכרוניים (DDR3 SDRAM‏) CMOS במהירות גבוהה עם קצב נתונים-כפול 3 וזיכרונות DDR3L SDRAM במתח נמוך עם צפיפויות של ‎1 GB,‏ ‎2 GB,‏ ‎4 GB‏ ו-‎8 GB, במארזי FBGA‏ 9 מ"מ x‏ 10.5 מ"מ x‏ 1.2 מ"מ עם 78 כדוריות ו- 9 מ"מ x‏ 13 מ"מ x‏ 1.2 מ"מ עם 96 כדוריות. עם הקטנה מינימלית של פיסת הסיליקון, זיכרונות DDR3 SDRAM ‏(1.5‎ V) ו- DDR3L‏ (1.35‎ V) מספקים תחליפים תואמים (Drop-In) אמינים תואמי פין-לפין עבור מספר פתרונות דומים, המשמשים ביחד עם מיקרו-מעבדים מהדור החדש יותר ומבטלים את הצורך בתכנון-מחדש והרשאה-מחדש של חלקים שהם יקרים.

מאפיינים

• הגדרת תצורה פנימית כשמונה סוללות של ‎64 M,‏ ‎128 M,‏ ‎256 M,‏ ‎512 M ו- 1G x 8 bits ו/או ‎16 bits
• הספקת-כוח:
  
  • ‎1.5 V+‏ (‎±0.075 V)‏ (AS4C64M16D3,‏ AS4C128M8D3,‏ AS4C128M16D3,‏ AS4C256M8D3,‏ AS4C256M16D3, וזיכרונות AS4C512M8D3 DDR3 SDRAM)
  • 1.35‎ V+‏ (AS4C64M16D3L,‏ AS4C128M8D3L,‏ AS4C128M16D3L,‏ AS4C256M8D3L,‏ AS4C256M16D3L,‏ AS4C512M8D3L,‏ AS4C512M16D3L וזכרונות AS4C1G8MD3L DDR3L SDRAM)
• מוצעים במארזי FBGA עם 78 כדוריות או 96 כדוריות
• ארכיטקטורת קצב-נתונים-כפול 3 עבור קצבי העברה מהירים ביותר של עד פין/‎1600 Mbps וקצבי שעון של ‎800 MHz
• אלגוריתמים דו-קיומיים, משתפי פעולה, משופרים
• זמינים עם תחומי טמפרטורה מסחרי (מורחב) ‎0°C עד 95‎°C+ ותעשייתי של 40‎°C- עד ‎95°C+
• עבודה סינכרונית מלאה
• אורכי פרצי (Burst) קריאה או כתיבה ניתנים-לתכנות של ארבע או שמונה
• פונקציית קדם-טעינה אוטומטית מספקת קדם-טעינת שורה יזומה עם תזמון-עצמי בסוף סדרת הפרצים (Burst)
• פונקציות ריענון נוחות-לשימוש כוללות ריענון אוטומטי או עצמי
• תואמי RoHS
• נטולי עופרת (Pb) והלוגן
• אוגר אופני פעולה ניתן-לתכנות מאפשר למערכת לבחור את האופנים המתאימים ביותר למקסום הביצועים