IPB200N15N3GATMA1 Infineon Technologies | מוצרי מוליכים-למחצה בדידים

IPB200N15N3GATMA1
מק"ט מוצר של DigiKey	IPB200N15N3GATMA1TR-ND - סרט וסליל (TR)‏ IPB200N15N3GATMA1CT-ND - סרט חתוך (CT)‏ IPB200N15N3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
יצרן	Infineon Technologies
מק"ט מוצר של היצרן	IPB200N15N3GATMA1
תיאור	MOSFET N-CH 150V 50A D2PAK
ייחוס לקוח
תיאור מפורט	תעלת N 150 V 50A (Tc) 150W (Tc) הרכבה משטחית ‎PG-TO263-3‎
גיליון נתונים	גיליון נתונים
מודלים EDA/CAD	IPB200N15N3GATMA1 דגמים

סוג	תיאור	בחרו הכול
קטגוריה	מוצרי מוליכים-למחצה בדידים טרנזיסטורים FETs‏, MOSFETs‏ FETs‏, MOSFETs‏ יחידים
יצרן	Infineon Technologies
סדרה	OptiMOS™
אריזה	סרט וסליל (TR)‏ סרט חתוך (CT)‏ Digi-Reel®
סטטוס החלק	מוצר שהתיישן
סוג FET	תעלת N
טכנולוגיה	MOSFET (תחמוצת מתכת)
מתח מרזב-למקור (Vdss)	150 V
זרם - מרזב רצוף (Id) ב- 25°C	50A (Tc)
מתח דחיפה (Rds On מקס', Rds On מינ')	8V, 10V
Rds מצב מופעל (מקס') @ Id, Vgs	mOhm‏20‏, A‏50‏, V‏10‏
Vgs(th)‎‏ (מקס') @ Id	V‏4‏ ב-µA‏90‏
מטען שער (Qg)‏ (מקס') ב- Vgs	31 nC @ 10 V
Vgs (מקס')	±20V
קיבוליות כניסה (Ciss‏) (מקס') ב- Vds	1820 pF @ 75 V
מאפיין FET	-
פיזור הספק (מקס')	150W (Tc)
טמפרטורת פעולה	-55°C ~ 175°C (TJ)
דירוג	-
הרשאה	-
סוג ההרכבה	הרכבה משטחית
מארז ההתקן של הספק	‎PG-TO263-3‎
מארז‏ / תיבה	3‏-263‏-TO‏, PAK‏2‏D‏ (2‏ מוליכים + לשונית), AB‏263‏-TO‏
מספר מוצר בסיס	IPB200