דיודות, רכיבי MOSFET ומודולים סיליקון קרביד (SiC) ‏ V ‏1200

חברת ROHM מציגה את ההתקנים והמודולים להספקת-כוח ב- SiC עבור חיסכון הספק משופר ביישומים רבים

תמונה של דיודות SiC סיליקון קרביד V ‏1200 מבית ROHM SemiconductorSiC מתפתח כמועמד המתאים ביותר בחיפוש אחרי האלמנט עם ההפסדים הנמוכים של הדור-הבא הודות להתנגדות מצב-מופעל הנמוכה שלו והתכונות המעולות בטמפרטורות גבוהות. חברת ROHM מפתחת התקנים ומודולים להספקת-כוח ב- SiC עבור חיסכון משופר בהספק במספר יישומים, ממהפכים עם נצילות גבוהה בממירי DC/AC עבור ספקי-כוח סולריים/רוח ורכבים חשמליים/היברידיים ועד למהפכי הספק עבור ציוד תעשייתי ומזגני אוויר.

מאפיינים יישומים
  • התנגדות מצב-מופעל נמוכה
  • מיתוג מהיר
  • התאוששות אחורנית מהירה
  • קלות חיבור מקבילי
  • פשטות דחיפה
  • ציפוי מוליכים נטול-עופרת (Pb)
  • תאימות RoHS
  • מהפכים סולריים
  • ממירי DC/DC
  • ספקי כוח ממותגים
  • חימום השראתי
  • דוחפי מנועים

1200 V Silicon Carbide SiC Diodes

תמונהמק"ט יצרןתיאורכמות זמינהמחיר
SICFET N-CH 1200V 10A TO247SCT2450KECSICFET N-CH 1200V 10A TO247מיידית - 0$13.65הצגת הפרטים
SICFET N-CH 1200V 14A TO247SCT2280KECSICFET N-CH 1200V 14A TO247מיידית - 0$17.26הצגת הפרטים
SICFET N-CH 1200V 22A TO247SCT2160KECSICFET N-CH 1200V 22A TO247מיידית - 0$27.14הצגת הפרטים
SICFET N-CH 1200V 40A TO247SCT2080KECSICFET N-CH 1200V 40A TO247מיידית - 0$47.92הצגת הפרטים
SICFET N-CH 1200V 40A TO247SCH2080KECSICFET N-CH 1200V 40A TO247מיידית - 0See Page for Pricingהצגת הפרטים
MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULEBSM120D12P2C005MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULEמיידית - 2$1,230.44הצגת הפרטים
MOSFET 2N-CH 1200V 204A MODULEBSM180D12P2C101MOSFET 2N-CH 1200V 204A MODULEמיידית - 1$1,775.10הצגת הפרטים
2015-07-06 תאריך הפרסום