VideoLibrary

ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions

Optimize your designs with SiC power devices and gate drivers from ROHM, the pioneer and industry leader in SiC technology.

2/6/2023 4:57:29 PM

Part List

תמונהמק"ט יצרןתיאורכמות זמינהמחירהצגת הפרטים
MOSFET 2N-CH 1200V 80A MODULEBSM080D12P2C008MOSFET 2N-CH 1200V 80A MODULEמיידית - 61$1,079.96הצגת הפרטים
MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULEBSM180D12P3C007MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULEמיידית - 13$1,908.44הצגת הפרטים
MOSFET 2N-CH 1200V 300A MODULEBSM300D12P2E001MOSFET 2N-CH 1200V 300A MODULEמיידית - 16$2,657.03הצגת הפרטים
MOSFET 2N-CH 1200V 204A MODULEBSM180D12P2C101MOSFET 2N-CH 1200V 204A MODULEמיידית - 1$1,611.26הצגת הפרטים
MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULEBSM120D12P2C005MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULEמיידית - 2$1,345.96הצגת הפרטים
MOSFET IPM 1.2KV 134A MODULEBSM120C12P2C201MOSFET IPM 1.2KV 134A MODULEמיידית - 7$1,011.55הצגת הפרטים
MOSFET 2N-CH 1200V 600A MODULEBSM600D12P3G001MOSFET 2N-CH 1200V 600A MODULEמיידית - 0See Page for Pricingהצגת הפרטים
MOSFET 2N-CH 1200V 400A MODULEBSM400D12P3G002MOSFET 2N-CH 1200V 400A MODULEמיידית - 2$4,218.31הצגת הפרטים
MOSFET 2N-CH 1200V 300A MODULEBSM300D12P3E005MOSFET 2N-CH 1200V 300A MODULEמיידית - 6$4,646.68הצגת הפרטים
MOSFET 2N-CH 1700V 250A MODULEBSM250D17P2E004MOSFET 2N-CH 1700V 250A MODULEמיידית - 8$3,638.62הצגת הפרטים
MOSFET 2N-CH 1200V 204A MODULEBSM180D12P2E002MOSFET 2N-CH 1200V 204A MODULEמיידית - 4$2,292.12הצגת הפרטים
1200V, 40A, 7-PIN SMD, TRENCH-STSCT4036KW7TL1200V, 40A, 7-PIN SMD, TRENCH-STמיידית - 244$54.45הצגת הפרטים
750V, 51A, 7-PIN SMD, TRENCH-STRSCT4026DW7TL750V, 51A, 7-PIN SMD, TRENCH-STRמיידית - 438$57.46הצגת הפרטים
750V, 31A, 7-PIN SMD, TRENCH-STRSCT4045DW7HRTL750V, 31A, 7-PIN SMD, TRENCH-STRמיידית - 0$28.05הצגת הפרטים
1200V, 75A, 7-PIN SMD, TRENCH-STSCT4018KW7TL1200V, 75A, 7-PIN SMD, TRENCH-STמיידית - 704$100.12הצגת הפרטים
1200V, 24A, 7-PIN SMD, TRENCH-STSCT4062KW7HRTL1200V, 24A, 7-PIN SMD, TRENCH-STמיידית - 2669$40.66הצגת הפרטים
750V, 31A, 7-PIN SMD, TRENCH-STRSCT4045DW7TL750V, 31A, 7-PIN SMD, TRENCH-STRמיידית - 335$39.68הצגת הפרטים
SICFET N-CH 1700V 5.9A TO268SCT2750NYTBSICFET N-CH 1700V 5.9A TO268מיידית - 0$11.84הצגת הפרטים
1200V, 43A, 3-PIN THD, TRENCH-STSCT4036KEHRC111200V, 43A, 3-PIN THD, TRENCH-STמיידית - 289$60.92הצגת הפרטים
750V, 45M, 4-PIN THD, TRENCH-STRSCT4045DRC15750V, 45M, 4-PIN THD, TRENCH-STRמיידית - 3525$43.64הצגת הפרטים

Related Videos

Tamura Total Solutions
Tamura Total Solutions

תאריך פרסום: 2024-08-20

ROHM'S 4th Generation of Silicon Carbide MOSFETs | First Look
ROHM'S 4th Generation of Silicon Carbide MOSFETs | First Look

תאריך פרסום: 2023-09-20

High accuracy current monitoring contributes to improved application reliability
High accuracy current monitoring contributes to improved application reliability

תאריך פרסום: 2023-06-22

Related Product Highlight

4th Generation Silicon Carbide SiC MOSFETs ROHM's 4th generation silicon carbide MOSFETs are designed to deliver unparalleled efficiency and performance in demanding applications.
4th Generation SiC MOSFETs ROHM's 4th generation SiC MOSFETs feature low switching loss and support for 15 V gate-source voltage that contributes to device power savings.
Industrial Power Solutions ROHM’s reliable portfolio of power solutions includes a variety of applications within the industrial sector from SiC MOSFETs and gate drivers to IPMs and shunt resistors. Learn more at DigiKey today.

Related Articles and Blogs

כיצד להפחית הפסדים, לשפר נצילות ולהרחיב את תחום הטמפרטורות ביישומים בהספק גבוה המתכננים יכולים להשתמש ברכיבי SiC MOSFET מדור רביעי כדי לשפר מאוד את הנצילות, להוזיל את העלות ולהפחית את גודלם של מעגלי בקרה במתח גבוה והספק גבוה.
מוליכים-למחצה עם פער-אנרגיה (Bandgap‏) רחב משנים את עולם התחבורה סקטור התחבורה כולו עובר טרנספורמציה רדיקלית, עם פתרונות עבור מכוניות חשמליות והיברידיות והסעת המונים נקיה יותר.
מוליכים-למחצה עם פער-אנרגיה (Band Gap‏) רחב ביישומי תעופה-וחלל ולוויינים מוליכים-למחצה עם פער-אנרגיה (Band Gap‏) רחב (WBG‏) מביאים מספר יתרונות בהמרת הספק, כגון צפיפות הספק ונצילות משופרות, תוך הפחתת גודל ומשקל המערכת.

Related Product Training Modules

High-Power Devices for EV DC Fast-Charging Stations ROHM's power device offerings for DC fast-charging stations include silicon carbide (SiC), insulated gate bipolar transistor (IGBT), and super junction MOSFETs.
Industrial Motor Products: Part 1 - Power Devices/Gate Drivers ROHM’s power devices and gate drivers are optimized for industrial motor end applications.
4th Generation SiC MOSFETs This presentation will provide a brief overview of ROHM’s latest SiC trench MOSFETs and their advantages for power electronics applications.