ROHM Semiconductor

SiC Schottky Barrier Diodes

ROHM’s ultra-low switching loss diodes are available in a variety of current ratings and packages

Image of ROHM SiC Schottky Barrier DiodeROHM offers silicon carbide (SiC) Schottky barrier diodes in a variety of current ratings and packages. Some features include low forward voltage drop, high peak current (IFSM) ratings, and low leakage. They are available with one or two diodes per package, and some AEC-Q101 qualified models are available for automotive use. The reverse recovery time (trr) is virtually constant, regardless of temperature (due primarily to device capacitance). It delivers much lower switching loss than silicon fast recovery diodes (SiFRDs).

Features
  • Ultra-fast recovery time
  • Maximum junction temperature: 175°C
  • Packaged devices rated for 650 V or 1200 V
  • Bare dies available up to 1700 V
  • SPICE and thermal models available
  • Continuous forward current ratings of 2 A, 4 A, 5 A, 6 A, 8 A, 10 A, 12 A, 15 A, 20 A, 30 A, and 40 A
  • 3rd generation with low VF
  • Operating temperature range: -40°C to +175°C
Applications
  • Power factor correction circuits
  • Secondary rectifiers
  • Automotive electronics

SiC Diodes

תמונהמק"ט יצרןתיאורמתח - DC הפוך (Vr) (מקס')כמות זמינהמחירהצגת הפרטים
DIODE ARRAY SIC 1200V 10A TO-247SCS220KE2CDIODE ARRAY SIC 1200V 10A TO-2471200 Vמיידית - 0$37.14הצגת הפרטים
DIODE ARRAY SIC 650V 20A TO-247SCS240AE2CDIODE ARRAY SIC 650V 20A TO-247650 Vמיידית - 0$35.04הצגת הפרטים
DIODE ARRAY SIC 1200V 10A TO-247SCS120KE2CDIODE ARRAY SIC 1200V 10A TO-2471200 Vמיידית - 0$94.09הצגת הפרטים
DIODE ARRAY SIC 600V 20A TO-247SCS140AE2CDIODE ARRAY SIC 600V 20A TO-247600 Vמיידית - 0$131.27הצגת הפרטים
DIODE ARRAY SIC 650V 20A TO-247SCS210KE2HRCDIODE ARRAY SIC 650V 20A TO-247650 Vמיידית - 0$23.79הצגת הפרטים

SiC Transistors

תמונהמק"ט יצרןתיאורמאפיין FETכמות זמינהמחירהצגת הפרטים
MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULEBSM120D12P2C005MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE-מיידית - 2$1,318.17הצגת הפרטים
MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULEBSM180D12P3C007MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE-מיידית - 13$2,018.85הצגת הפרטים
MOSFET 2N-CH 1200V 300A MODULEBSM300D12P2E001MOSFET 2N-CH 1200V 300A MODULE-מיידית - 8$2,546.41הצגת הפרטים
MOSFET 2N-CH 1700V 250A MODULEBSM250D17P2E004MOSFET 2N-CH 1700V 250A MODULE-מיידית - 7$3,526.87הצגת הפרטים
MOSFET 2N-CH 1200V 80A MODULEBSM080D12P2C008MOSFET 2N-CH 1200V 80A MODULE-מיידית - 9$1,142.43הצגת הפרטים

Diodes - Rectifiers - Single

תמונהמק"ט יצרןתיאורמתח - קדמי (Vf)‏ (מקס') @ Ifמהירותזמן התאוששות הפוכה (TRR)כמות זמינהמחירהצגת הפרטים
DIODE SIL CARB 1200V 5A TO220ACSCS205KGCDIODE SIL CARB 1200V 5A TO220AC1.6 V @ 5 Aאין זמן התאוששות בזרם Io מעל 500mA0 nsמיידית - 0$8.33הצגת הפרטים
DIODE SIL CARB 1200V 5A TO220ACSCS205KGHRCDIODE SIL CARB 1200V 5A TO220AC1.6 V @ 5 Aאין זמן התאוששות בזרם Io מעל 500mA0 nsמיידית - 0$11.74הצגת הפרטים
DIODE SIL CARB 650V 6A TO220ACSCS206AGCDIODE SIL CARB 650V 6A TO220AC1.55 V @ 6 Aאין זמן התאוששות בזרם Io מעל 500mA0 nsמיידית - 0$5.55הצגת הפרטים
DIODE SIL CARB 650V 6A TO220ACSCS206AGHRCDIODE SIL CARB 650V 6A TO220AC1.55 V @ 6 Aאין זמן התאוששות בזרם Io מעל 500mA0 nsמיידית - 0$7.71הצגת הפרטים
DIODE SIL CARB 650V 6A TO263ABSCS206AJHRTLLDIODE SIL CARB 650V 6A TO263AB1.55 V @ 6 Aאין זמן התאוששות בזרם Io מעל 500mA0 nsמיידית - 746$22.33הצגת הפרטים

Diodes - Rectifiers - Arrays

תמונהמק"ט יצרןתיאורמתח - קדמי (Vf)‏ (מקס') @ Ifמהירותזרם - דלף הפוך @ Vrכמות זמינהמחירהצגת הפרטים
DIODE ARRAY SIC 650V 20A TO-247SCS210KE2HRCDIODE ARRAY SIC 650V 20A TO-2471.55 V @ 20 Aאין זמן התאוששות בזרם Io מעל 500mA400 µA @ 600 Vמיידית - 0$23.79הצגת הפרטים
DIODE ARRAY SIC 650V 10A TO-247SCS220AE2CDIODE ARRAY SIC 650V 10A TO-2471.55 V @ 10 Aאין זמן התאוששות בזרם Io מעל 500mA0 nsמיידית - 0$18.73הצגת הפרטים
DIODE ARRAY SIC 650V 10A TO-247SCS220AE2HRCDIODE ARRAY SIC 650V 10A TO-2471.55 V @ 10 Aאין זמן התאוששות בזרם Io מעל 500mA0 nsמיידית - 0$22.13הצגת הפרטים
DIODE ARRAY SIC 1200V 10A TO-247SCS220KE2CDIODE ARRAY SIC 1200V 10A TO-2471.6 V @ 10 Aאין זמן התאוששות בזרם Io מעל 500mA0 nsמיידית - 0$37.14הצגת הפרטים
DIODE ARRAY SIC 650V 10A TO-247SCS220KE2HRCDIODE ARRAY SIC 650V 10A TO-2471.55 V @ 10 Aאין זמן התאוששות בזרם Io מעל 500mA200 µA @ 600 Vמיידית - 0$41.22הצגת הפרטים
2020-04-22 עודכן
2019-04-30 תאריך הפרסום

Related Videos

High accuracy current monitoring contributes to improved application reliability
High accuracy current monitoring contributes to improved application reliability

תאריך פרסום: 2023-06-22

Midnite Solar's Inverters and Charger Systems
Midnite Solar's Inverters and Charger Systems

תאריך פרסום: 2023-02-06

ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions

תאריך פרסום: 2023-02-06

Related Product Highlight

Industrial Power Solutions ROHM’s reliable portfolio of power solutions includes a variety of applications within the industrial sector from SiC MOSFETs and gate drivers to IPMs and shunt resistors. Learn more at DigiKey today.
רכיבי MOSFET להספק SiC רכיבי MOSFET סיליקון קרביד (SiC) מבית ROHM מגיעים במגוון של התנגדויות מצב-מופעל ובדירוגי מתח (VDSS) של V‏ 650‏, V‏ 1,200 או V‏ 1,700.
AEC-Q101 Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier Diodes ROHM Semiconductor's AEC-Q101 silicon carbide (SiC) Schottky barrier diodes are ideal for a variety of automotive applications.

Related Articles and Blogs

מוליכים-למחצה עם פער-אנרגיה (Bandgap‏) רחב משנים את עולם התחבורה סקטור התחבורה כולו עובר טרנספורמציה רדיקלית, עם פתרונות עבור מכוניות חשמליות והיברידיות והסעת המונים נקיה יותר.
מוליכים-למחצה עם פער-אנרגיה (Band Gap‏) רחב ביישומי תעופה-וחלל ולוויינים מוליכים-למחצה עם פער-אנרגיה (Band Gap‏) רחב (WBG‏) מביאים מספר יתרונות בהמרת הספק, כגון צפיפות הספק ונצילות משופרות, תוך הפחתת גודל ומשקל המערכת.
How to Correctly Apply the Right Power Devices to Meet Industrial Power Supply Requirements By correctly applying the right power components for industrial power supplies and converters, designers can ensure the necessary performance and reliability.

Related Product Training Modules

High-Power Devices for EV DC Fast-Charging Stations ROHM's power device offerings for DC fast-charging stations include silicon carbide (SiC), insulated gate bipolar transistor (IGBT), and super junction MOSFETs.
Industrial Motor Products: Part 1 - Power Devices/Gate Drivers ROHM’s power devices and gate drivers are optimized for industrial motor end applications.
Silicon Carbide (SiC) Barrier Diodes Introducing Silicon Carbide advantages over silicon-based products, as well as an explanation of how their unique characteristics can benefit existing power solutions.