Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

התקני MOSFET להספק בכלי-רכב

התקני MOSFET להספק מבית Toshiba מבטיחים מהירויות מיתוג גבוהות מבלי להתפשר על רמות רעש EMI‏

תמונה של התקני MOSFET להספק לכלי-רכב מבית Toshibaחברת Toshiba מציעה קו מוצרים נרחב של רכיבי MOSFET להספק כדי לכסות יישומים שונים בכלי-רכב במערכות סוללות V‏ 12‏ עד V‏ 48‏. ככזו, הביצועים והאמינות הם אבני הפינה של המוצרים שלהם. כל המוצרים לכלי-רכב מבית Toshiba עולים ועוברים את תקני AEC-Q101.

תדרי מיתוג גבוהים יותר ביחד עם הספק גבוה יותר דורשים התקנים עם התנגדות נמוכה יותר, אך ביחד עם זאת הם מבטיחים גם מהירויות מיתוג גבוהות מבלי להתפשר על רמות רעש EMI. חברת Toshiba פיתחה תהליכי פרוסות סיליקון מתקדמים ביותר כדי לשכך רעשי מיתוג תוך שיפור נוסף של תכני המוצרים.

על ידי שילוב של תהליכי פרוסות סיליקון מתקדמים עם טכנולוגיות מארזים עם התנגדות נמוכה הם השיגו את הרמות הנמוכות בתעשייה של התנגדות מצב-מופעל. מחברי הנחושת מבית Toshiba המשמשים ברכיבי ה- MOSFET שלהם תורמים להתנגדות ולהשראות הנמוכים ביותר של המארזים. התנגדות נמוכה זו תורמת להפחתת הפסדי האנרגיה ולמזעור יישומים.

השקת מארזים עם צדדים ניתנים-להרטבה מאפשרת בדיקות איכות אופטיות אוטומטיות (AOI‏) תוך סיוע להסרת הלחמה עם פתילה. שיפורים כאלה עוזרים להבטיח שהשבב יעמוד במגוון של מצבי אמינות קיצוניים.

מאפיינים
  • התנגדות מצב-מופעל נמוכה:
    • (DS(ON‏R‏= mΩ‏ 0.74 (מקס') ב- VGS‏= V‏ 10‏ TKR74F04PB במארז (WARP-TO-220SM(W‏ V‏ 40‏)
    • (DS(ON‏R‏= mΩ‏ 3.3 (מקס') ב- VGS‏= V‏ 10‏ TK90S06N1L במארז +DPAK‏ V‏ 60‏)
    • (DS(ON‏R‏= mΩ‏ 2.4 (מקס') ב- VGS‏= V‏ 10‏ TK160F10N1L במארז (WARP-TO-220SM(W‏ V‏ 100‏)
  • התקני MOSFET‏ תעלת-P‏ ותעלת-N‏ V‏ 40‏, V‏ 60‏, V‏ 100‏ עבור יישומים בכלי-רכב עם מארז הרכבה-משטחית קטן
  • מוסמך AEC-Q101
  • מארזי SOP Advance‏ (WF‏), TSON Advance‏ (WF‏) ו- DSOP Advance‏ (WF‏) עם מבנה הדקים צדדיים ניתנים-להרטבה
יישומים
  • ציוד לכלי-רכב
  • ספקי-כוח
  • פנסים קדמיים LED
  • מניעי מנוע
  • מייצבים ממותגים
  • מתגי עומס
המוצרים לכלי-רכב מבית Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation‏ יכולים לשמש כדוגמאות הנדסה. עם זאת, הם אינם מיועדים עבור ייצור בכלי-רכב בכמויות גדולות או לבדיקות אמינות ללא אישור מראש של Toshiba Semiconductor and Storage‏.

40 V Drain to Source Voltage

תמונהמק"ט יצרןתיאורכמות זמינהמחירהצגת הפרטים
MOSFET N-CH 40V 120A 8DSOPTPW1R104PB,L1XHQMOSFET N-CH 40V 120A 8DSOPמיידית - 9374$4.27הצגת הפרטים
MOSFET N-CH 40V 150A 8DSOPTPWR7904PB,L1XHQMOSFET N-CH 40V 150A 8DSOPמיידית - 11666$7.57הצגת הפרטים
MOSFET N-CH 40V 120A 8SOPTPH1R104PB,L1XHQMOSFET N-CH 40V 120A 8SOPמיידית - 3746$7.75הצגת הפרטים

60 V Drain to Source Voltage

תמונהמק"ט יצרןתיאורכמות זמינהמחירהצגת הפרטים
MOSFET P-CH 60V 8A DPAKTJ8S06M3L,LXHQMOSFET P-CH 60V 8A DPAKמיידית - 1898$3.41הצגת הפרטים
MOSFET N-CH 60V 25A DPAKTK25S06N1L,LXHQMOSFET N-CH 60V 25A DPAKמיידית - 3001$5.17הצגת הפרטים
MOSFET P-CH 60V 15A DPAKTJ15S06M3L,LXHQMOSFET P-CH 60V 15A DPAKמיידית - 6032$4.95הצגת הפרטים
MOSFET N-CH 60V 40A DPAKTK40S06N1L,LXHQMOSFET N-CH 60V 40A DPAKמיידית - 6659$5.17הצגת הפרטים
MOSFET P-CH 60V 30A DPAKTJ30S06M3L,LXHQMOSFET P-CH 60V 30A DPAKמיידית - 4349$5.67הצגת הפרטים
MOSFET N-CH 60V 40A 8TSONXPN6R706NC,L1XHQMOSFET N-CH 60V 40A 8TSONמיידית - 27392$2.12הצגת הפרטים
MOSFET P-CH 60V 50A DPAKTJ50S06M3L,LXHQMOSFET P-CH 60V 50A DPAKמיידית - 79$7.21הצגת הפרטים
MOSFET P-CH 60V 60A DPAKTJ60S06M3L,LXHQMOSFET P-CH 60V 60A DPAKמיידית - 3531$7.46הצגת הפרטים
MOSFET N-CH 60V 90A DPAKTK90S06N1L,LXHQMOSFET N-CH 60V 90A DPAKמיידית - 7079$5.28הצגת הפרטים

100 V Drain to Source Voltage

תמונהמק"ט יצרןתיאורכמות זמינהמחירהצגת הפרטים
MOSFET N-CH 100V 33A DPAKTK33S10N1Z,LXHQMOSFET N-CH 100V 33A DPAKמיידית - 3704$5.89הצגת הפרטים
MOSFET N-CH 100V 55A DPAKTK55S10N1,LXHQMOSFET N-CH 100V 55A DPAKמיידית - 3395$7.36הצגת הפרטים
MOSFET N-CH 100V 45A 8DSOPXPW6R30ANB,L1XHQMOSFET N-CH 100V 45A 8DSOPמיידית - 4609$9.47הצגת הפרטים
MOSFET N-CH 100V 160A TO220SMTK160F10N1,LXGQMOSFET N-CH 100V 160A TO220SMמיידית - 4352$17.12הצגת הפרטים
2020-08-19 תאריך הפרסום

Related Product Highlight

Low-Voltage Power MOSFETs Toshiba MOSFETs LVMOS utilize the latest UMOS processes and come in a variety of voltages and packages to suit applications that require higher current.
U-MOSⅧ-H MOSFETs High-speed trench-structure U-MOSⅧ-H MOSFETs from Toshiba that offer high-efficiency and an excellent trade-off between on-resistance and capacitance.