Image of Transphorm's GaN FET

GaN versus Silicon Carbide (SiC) in Power Electronics Circuit Topologies

Transphorm

This presentation will cover an overview of GaN versus silicon carbide and how GaN compares with silicon carbide in a DC to DC hard switched synchronous boost converter. In addition, it will provide a customer example using a bridgeless totem-pole PFC and it will show how to increase performance by reducing the high current path DC resistance.

Related Parts

תמונהמק"ט יצרןתיאורמאפיין FETכמות זמינהמחירהצגת הפרטים
MOSFET 2N-CH 600V 70A MODULETPD3215MMOSFET 2N-CH 600V 70A MODULE-מיידית - 0See Page for Pricingהצגת הפרטים
GANFET N-CH 900V 15A TO220ABTP90H180PSGANFET N-CH 900V 15A TO220AB900 Vמיידית - 0See Page for Pricingהצגת הפרטים
GANFET N-CH 600V 9A 4PQFNTPH3202LDGANFET N-CH 600V 9A 4PQFN600 Vמיידית - 0See Page for Pricingהצגת הפרטים
GANFET N-CH 600V 9A 3PQFNTPH3202LSGANFET N-CH 600V 9A 3PQFN600 Vמיידית - 0See Page for Pricingהצגת הפרטים
GANFET N-CH 600V 9A TO220ABTPH3202PDGANFET N-CH 600V 9A TO220AB600 Vמיידית - 0See Page for Pricingהצגת הפרטים
GANFET N-CH 600V 9A TO220ABTPH3202PSGANFET N-CH 600V 9A TO220AB600 Vמיידית - 0See Page for Pricingהצגת הפרטים
GANFET N-CH 650V 36A TO247-3TPH3205WSBGANFET N-CH 650V 36A TO247-3650 Vמיידית - 0See Page for Pricingהצגת הפרטים
GANFET N-CH 650V 35A TO247-3TPH3205WSBQAGANFET N-CH 650V 35A TO247-3650 Vמיידית - 0$50.20הצגת הפרטים
GANFET N-CH 650V 16A PQFNTPH3206LDBGANFET N-CH 650V 16A PQFN650 Vמיידית - 0See Page for Pricingהצגת הפרטים
GANFET N-CH 650V 16A PQFNTPH3206LDGBGANFET N-CH 650V 16A PQFN650 Vמיידית - 0See Page for Pricingהצגת הפרטים
GANFET N-CH 650V 16A PQFNTPH3206LSBGANFET N-CH 650V 16A PQFN650 Vמיידית - 0See Page for Pricingהצגת הפרטים
GANFET N-CH 600V 17A TO220ABTPH3206PDGANFET N-CH 600V 17A TO220AB600 Vמיידית - 0See Page for Pricingהצגת הפרטים
GANFET N-CH 650V 16A TO220ABTPH3206PSBGANFET N-CH 650V 16A TO220AB650 Vמיידית - 0See Page for Pricingהצגת הפרטים
GANFET N-CH 650V 50A TO247-3TPH3207WSGANFET N-CH 650V 50A TO247-3650 Vמיידית - 0See Page for Pricingהצגת הפרטים
GANFET N-CH 650V 20A 4PQFNTPH3208LDGANFET N-CH 650V 20A 4PQFN650 Vמיידית - 0See Page for Pricingהצגת הפרטים
GANFET N-CH 650V 20A 3PQFNTPH3208LDGGANFET N-CH 650V 20A 3PQFN650 Vמיידית - 9$42.13הצגת הפרטים
GANFET N-CH 650V 20A 3PQFNTPH3208LSGANFET N-CH 650V 20A 3PQFN650 Vמיידית - 0See Page for Pricingהצגת הפרטים
GANFET N-CH 650V 20A 3PQFNTPH3208LSGGANFET N-CH 650V 20A 3PQFN650 Vמיידית - 0See Page for Pricingהצגת הפרטים
GANFET N-CH 650V 20A TO220ABTPH3208PDGANFET N-CH 650V 20A TO220AB650 Vמיידית - 0See Page for Pricingהצגת הפרטים
GANFET N-CH 650V 20A TO220ABTPH3208PSGANFET N-CH 650V 20A TO220AB650 Vמיידית - 0See Page for Pricingהצגת הפרטים
PTM פורסם ב:

Related Videos

Learn how to use voltage acceleration in GaN reliability testing for accurate performance analysis
Learn how to use voltage acceleration in GaN reliability testing for accurate performance analysis

תאריך פרסום: 2023-07-21

Transphorm GaN is powering disruptive changes across various markets and applications
Transphorm GaN is powering disruptive changes across various markets and applications

תאריך פרסום: 2023-07-21

Learn how Transphorm’s innovative, AEC-Q101 GaN devices revolutionize electric vehicle systems
Learn how Transphorm’s innovative, AEC-Q101 GaN devices revolutionize electric vehicle systems

תאריך פרסום: 2023-07-21

Related Product Highlight

Isolated Gate Driver Plus High-Voltage GaN FET Reference Designs Skyworks Solutions and Transphorm's partnership features a reference design that simplifies the evaluation of high voltage GaN FETs.
משאבי תכנון בחנו מגוון של כלים ומשאבים מבית Transphorm כדי לסייע בתכנון יישומי GaN
TP65H050WS/TP65H035WS Third Generation (Gen III) Gallium Nitride (GaN) Field-Effect Transistors (FETs) Transphorm's TP65H050WS and TP65H035WS Gen III GaN FETs feature increased noise immunity and increased gate reliability resulting in quiet switching.

Related Articles and Blogs

מוליכים-למחצה עם פער-אנרגיה (Bandgap‏) רחב דוחפים את הנצילות במרכזי נתונים מכיוון שלמרכזי נתונים יש דרישות אנרגיה עצומות, נדרשים פתרונות הספקת-כוח היכולים להפחית את הפסדי ההספק, להגדיל את הנצילות ולשפר את הבקרה התרמית.
מוליכים-למחצה עם פער-אנרגיה (Bandgap‏) רחב משנים את עולם התחבורה סקטור התחבורה כולו עובר טרנספורמציה רדיקלית, עם פתרונות עבור מכוניות חשמליות והיברידיות והסעת המונים נקיה יותר.
Power GaN Products and Resources Available at DigiKey GaN is making inroads into power design. This blog provides some background and some relevant GaN products and resources now available at DigiKey.