VideoLibrary

4th Gen SiC MOSFETs

ROHM’s new 4th generation of MOSFETs utilize an improved trench structure to deliver the industry’s lowest ON resistance, while low switching loss is achieved by significantly reducing parasitic capacitance.

2/6/2023 4:57:29 PM

Part List

תמונהמק"ט יצרןתיאורכמות זמינהמחירהצגת הפרטים
DIODE ARRAY SIC 1200V 15A TO-247SCS230KE2HRC11DIODE ARRAY SIC 1200V 15A TO-247מיידית - 2$37.60הצגת הפרטים
MOSFET 2N-CH 1200V 80A MODULEBSM080D12P2C008MOSFET 2N-CH 1200V 80A MODULEמיידית - 9$1,142.43הצגת הפרטים
MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULEBSM180D12P3C007MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULEמיידית - 13$2,018.85הצגת הפרטים
DIODE SIC 650V 12A TO220ACFPSCS212AGC17DIODE SIC 650V 12A TO220ACFPמיידית - 933$23.98הצגת הפרטים
DIODE SIC 1.2KV 5A TO220ACFPSCS205KGC17DIODE SIC 1.2KV 5A TO220ACFPמיידית - 0$23.51הצגת הפרטים
DIODE SIC 650V 2.15A TO220ACPSCS302AHGC9DIODE SIC 650V 2.15A TO220ACPמיידית - 643$10.65הצגת הפרטים
DIODE SIC 1.2KV 10A TO220ACFPSCS210KGC17DIODE SIC 1.2KV 10A TO220ACFPמיידית - 314$33.69הצגת הפרטים
DIODE SIC 1.2KV 20A TO220ACFPSCS220KGC17DIODE SIC 1.2KV 20A TO220ACFPמיידית - 991$52.11הצגת הפרטים
DIODE ARR SIC 1200V 10A TO-247NSCS220KE2HRC11DIODE ARR SIC 1200V 10A TO-247Nמיידית - 0$57.20הצגת הפרטים
DIODE ARRAY SIC 650V 15A TO-247NSCS230AE2HRC11DIODE ARRAY SIC 650V 15A TO-247Nמיידית - 545$42.90הצגת הפרטים
DIODE ARRAY SIC 1200V 5A TO-247SCS210KE2HRC11DIODE ARRAY SIC 1200V 5A TO-247מיידית - 450$39.68הצגת הפרטים
DIODE ARRAY SIC 650V 20A TO-247NSCS240AE2HRC11DIODE ARRAY SIC 650V 20A TO-247Nמיידית - 310$53.98הצגת הפרטים
DIODE ARRAY SIC 650V 10A TO-247NSCS220AE2GC11DIODE ARRAY SIC 650V 10A TO-247Nמיידית - 279$36.42הצגת הפרטים
DIODE ARRAY SIC 650V 10A TO-247NSCS220AE2HRC11DIODE ARRAY SIC 650V 10A TO-247Nמיידית - 199$37.28הצגת הפרטים
DIODE ARR SIC 1200V 20A TO-247NSCS240KE2GC11DIODE ARR SIC 1200V 20A TO-247Nמיידית - 150$87.99הצגת הפרטים
MOSFET 2N-CH 1200V 300A MODULEBSM300D12P2E001MOSFET 2N-CH 1200V 300A MODULEמיידית - 8$2,546.41הצגת הפרטים
DIODE SIL CARB 650V 8A TO220ACFPSCS208AGC17DIODE SIL CARB 650V 8A TO220ACFPמיידית - 886$10.39הצגת הפרטים
DIODE SIL CARB 650V 10A TO220ACPSCS310AHGC9DIODE SIL CARB 650V 10A TO220ACPמיידית - 0See Page for Pricingהצגת הפרטים
MOSFET IPM 1.2KV 134A MODULEBSM120C12P2C201MOSFET IPM 1.2KV 134A MODULEמיידית - 7$1,070.07הצגת הפרטים
MOSFET 2N-CH 1200V 300A MODULEBSM300D12P3E005MOSFET 2N-CH 1200V 300A MODULEמיידית - 6$4,915.50הצגת הפרטים

Related Videos

ROHM'S 4th Generation of Silicon Carbide MOSFETs | First Look
ROHM'S 4th Generation of Silicon Carbide MOSFETs | First Look

תאריך פרסום: 2023-09-20

High accuracy current monitoring contributes to improved application reliability
High accuracy current monitoring contributes to improved application reliability

תאריך פרסום: 2023-06-22

Midnite Solar's Inverters and Charger Systems
Midnite Solar's Inverters and Charger Systems

תאריך פרסום: 2023-02-06

Related Product Highlight

4th Generation Silicon Carbide SiC MOSFETs ROHM's 4th generation silicon carbide MOSFETs are designed to deliver unparalleled efficiency and performance in demanding applications.
4th Generation SiC MOSFETs ROHM's 4th generation SiC MOSFETs feature low switching loss and support for 15 V gate-source voltage that contributes to device power savings.
BD3430 DAC Chip - MUS-ICT™ Series ROHM’s MUS-ICT series contains the BD3430 DAC chip, a high-grade audio IC.

Related Articles and Blogs

כיצד להפחית הפסדים, לשפר נצילות ולהרחיב את תחום הטמפרטורות ביישומים בהספק גבוה המתכננים יכולים להשתמש ברכיבי SiC MOSFET מדור רביעי כדי לשפר מאוד את הנצילות, להוזיל את העלות ולהפחית את גודלם של מעגלי בקרה במתח גבוה והספק גבוה.
מוליכים-למחצה עם פער-אנרגיה (Bandgap‏) רחב משנים את עולם התחבורה סקטור התחבורה כולו עובר טרנספורמציה רדיקלית, עם פתרונות עבור מכוניות חשמליות והיברידיות והסעת המונים נקיה יותר.
מוליכים-למחצה עם פער-אנרגיה (Band Gap‏) רחב ביישומי תעופה-וחלל ולוויינים מוליכים-למחצה עם פער-אנרגיה (Band Gap‏) רחב (WBG‏) מביאים מספר יתרונות בהמרת הספק, כגון צפיפות הספק ונצילות משופרות, תוך הפחתת גודל ומשקל המערכת.

Related Product Training Modules

High-Power Devices for EV DC Fast-Charging Stations ROHM's power device offerings for DC fast-charging stations include silicon carbide (SiC), insulated gate bipolar transistor (IGBT), and super junction MOSFETs.
Industrial Motor Products: Part 1 - Power Devices/Gate Drivers ROHM’s power devices and gate drivers are optimized for industrial motor end applications.
4th Generation SiC MOSFETs This presentation will provide a brief overview of ROHM’s latest SiC trench MOSFETs and their advantages for power electronics applications.