STMicroelectronics

רכיבי SiC MOSFET‏ STPOWER‏

מארזי MOSFET‏ המתקדמים ביותר מבית STMicroelectronics מתוכננים במיוחד עבור יישומים בכלי-רכב ובתעשייה

תמונה של רכיבי SiC MOSFET‏ STPOWER‏ מבית STMicroelectronics (לחצו להגדלה)רכיבי SiC MOSFET‏ STPOWER‏ מבית STMicroelectronics מביאים את הנצילות והאמינות המתקדמות של חומרים עם פער-אנרגיה (Bandgap‏) רחב למגוון רחב יותר של יישומים מודעי-אנרגיה כגון מהפכים עבור רכבים חשמליים/היברידיים, ייצור חשמל סולארי או בטורבינות רוח, דוחפים עם נצילות גבוהה וציוד לרשתות חשמל חכמות. עם תחום מתחים מורחב מ- V‏ 650‏ עד V‏ 1,700‏, רכיבי MOSFET אלה כוללים ביצועי מיתוג מצוינים בשילוב עם התנגדות מצב-מופעל (DS(ON‏R‏ נמוכה ביותר לכל ספרת איכות (FOM) של שטח. רכיבי SiC MOSFET אלו מבית ST מאפשרים תכנון מערכות יעילות וקומפקטיות יותר מתמיד. לרכיבי SiC MOSFET‏ V‏ 1,200‏ מבית ST יש דירוג טמפרטורות יוצא-דופן של 200°C+ לטובת תכן תרמי משופר של מערכות אלקטרוניקה להספק. בהשוואה לרכיבי MOSFET סיליקון, לרכיבי SiC MOSFET‏ יש גם הפסדי מיתוג מופחתים משמעותית עם שינויים מינימליים מול הטמפרטורה.

מאפיינים עיקריים

  • התקנים מורשים בדירוג כלי-רכב (AG‏)
  • יכולת טיפול בטמפרטורות גבוהות ביותר (C‏°‏200‏+ = .max‏ J‏T‏)
  • הפסדי מיתוג נמוכים ביותר (שינויים מינימליים מול הטמפרטורה) המאפשרים לפעול בתדר מיתוג גבוה ביותר
  • התנגדות מצב-מופעל נמוכה על-פני תחום הטמפרטורות
  • פשוט לדחיפה
  • דיודת גוף אינטרינזית מהירה וחסונה ביותר

Gen 3

תמונהמק"ט יצרןתיאורכמות זמינהמחירהצגת הפרטים
AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDESCT040HU65G3AGAUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDEמיידית - 470$50.32הצגת הפרטים
AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDESCT055HU65G3AGAUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDEמיידית - 252$50.11הצגת הפרטים
AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDESCT060HU75G3AGAUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDEמיידית - 551$45.66הצגת הפרטים
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650SCT055TO65G3SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650מיידית - 84$30.68הצגת הפרטים
AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDESCT040W65G3-4AGAUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDEמיידית - 5$46.99הצגת הפרטים

Gen 2

תמונהמק"ט יצרןתיאורכמות זמינהמחיר
SICFET N-CH 1200V 33A HIP247SCTW40N120G2VAGSICFET N-CH 1200V 33A HIP247מיידית - 366$61.65הצגת הפרטים
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120SCTWA60N120G2-4SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120מיידית - 229$63.33הצגת הפרטים
SICFET N-CH 650V 100A HIP247SCTW100N65G2AGSICFET N-CH 650V 100A HIP247מיידית - 471$123.62הצגת הפרטים
SICFET N-CH 650V 90A H2PAK-7SCTH90N65G2V-7SICFET N-CH 650V 90A H2PAK-7מיידית - 999$85.88הצגת הפרטים
TRANS SJT N-CH 1200V 91A HIP247SCTW70N120G2VTRANS SJT N-CH 1200V 91A HIP247מיידית - 443$99.18הצגת הפרטים

Gen 1

תמונהמק"ט יצרןתיאורכמות זמינהמחירהצגת הפרטים
SICFET N-CH 1200V 20A H2PAK-2SCT20N120HSICFET N-CH 1200V 20A H2PAK-2מיידית - 0$33.19הצגת הפרטים
HIP247 IN LINESCT1000N170HIP247 IN LINEמיידית - 14$31.83הצגת הפרטים
SICFET N-CH 1200V 12A HIP247SCT10N120SICFET N-CH 1200V 12A HIP247מיידית - 109$32.22הצגת הפרטים
SICFET N-CH 1200V 65A HIP247SCT50N120SICFET N-CH 1200V 65A HIP247מיידית - 293$98.32הצגת הפרטים
SICFET N-CH 1200V 12A HIP247SCT10N120AGSICFET N-CH 1200V 12A HIP247מיידית - 527$32.97הצגת הפרטים
2024-11-22 עודכן
2015-02-19 תאריך הפרסום

Related Product Highlight

SCT055HU65G3AG Automotive-Grade Silicon Carbide Power MOSFET This silicon carbide STPOWER MOSFET device has been developed using STMicroelectronics’ advanced and innovative 3rd generation SiC MOSFET technology.
HB2 Series 650 V IGBT STMicro's IGBT 650 V HB2 series is optimized in terms of conduction, thanks to a better VCE(sat) behavior at low current values.
Power MOSFETs STMicroelectronics' power MOSFETs are designed for applications which include switch-mode power supplies, lighting, DC-DC converters, motor control, and automotive.

Related Articles and Blogs

מוליכים-למחצה עם פער-אנרגיה (Bandgap‏) רחב משנים את עולם התחבורה סקטור התחבורה כולו עובר טרנספורמציה רדיקלית, עם פתרונות עבור מכוניות חשמליות והיברידיות והסעת המונים נקיה יותר.
מוליכים-למחצה עם פער-אנרגיה (Band Gap‏) רחב ביישומי תעופה-וחלל ולוויינים מוליכים-למחצה עם פער-אנרגיה (Band Gap‏) רחב (WBG‏) מביאים מספר יתרונות בהמרת הספק, כגון צפיפות הספק ונצילות משופרות, תוך הפחתת גודל ומשקל המערכת.
2023 May be the Year You Try Silicon Carbide: Here’s Why Silicon carbide is coming down in cost and can support the development of smaller and more efficient power conversion solutions compared with silicon.

Related Product Training Modules

ST MOSFETs To give users a quick overview of basic MOSFET parameters and fundamentals.
Silicon Carbide MOSFET Ideal for improving the performance of high power systems that traditionally have relied on IGBTs as power switches, explore STMicroelectronics Silicon Carbide MOSFET technology.