VideoLibrary

Transform talks latest developments in GaN technology

In this episode of PSDtv Primit Parikh, co-founder of Transform, talks to Alix Paultre about the latest developments in GaN technology at APEC 2016.

12/26/2017 7:31:06 PM

Part List

תמונהמק"ט יצרןתיאורכמות זמינהמחירהצגת הפרטים
MOSFET 2N-CH 600V 70A MODULETPD3215MMOSFET 2N-CH 600V 70A MODULEמיידית - 0See Page for Pricingהצגת הפרטים
GANFET N-CH 900V 15A TO220ABTP90H180PSGANFET N-CH 900V 15A TO220ABמיידית - 0See Page for Pricingהצגת הפרטים
GANFET N-CH 600V 9A 4PQFNTPH3202LDGANFET N-CH 600V 9A 4PQFNמיידית - 0See Page for Pricingהצגת הפרטים
GANFET N-CH 600V 9A 3PQFNTPH3202LSGANFET N-CH 600V 9A 3PQFNמיידית - 0See Page for Pricingהצגת הפרטים
GANFET N-CH 600V 9A TO220ABTPH3202PDGANFET N-CH 600V 9A TO220ABמיידית - 0See Page for Pricingהצגת הפרטים
GANFET N-CH 600V 9A TO220ABTPH3202PSGANFET N-CH 600V 9A TO220ABמיידית - 0See Page for Pricingהצגת הפרטים
GANFET N-CH 650V 36A TO247-3TPH3205WSBGANFET N-CH 650V 36A TO247-3מיידית - 0See Page for Pricingהצגת הפרטים
GANFET N-CH 650V 35A TO247-3TPH3205WSBQAGANFET N-CH 650V 35A TO247-3מיידית - 0$50.14הצגת הפרטים
GANFET N-CH 600V 17A PQFNTPH3206LDGANFET N-CH 600V 17A PQFNמיידית - 0See Page for Pricingהצגת הפרטים
GANFET N-CH 650V 16A PQFNTPH3206LDBGANFET N-CH 650V 16A PQFNמיידית - 0See Page for Pricingהצגת הפרטים
GANFET N-CH 650V 16A PQFNTPH3206LDGBGANFET N-CH 650V 16A PQFNמיידית - 0See Page for Pricingהצגת הפרטים
GANFET N-CH 600V 17A PQFNTPH3206LSGANFET N-CH 600V 17A PQFNמיידית - 0$20.43הצגת הפרטים
GANFET N-CH 650V 16A PQFNTPH3206LSBGANFET N-CH 650V 16A PQFNמיידית - 0See Page for Pricingהצגת הפרטים

Related Videos

Learn how to use voltage acceleration in GaN reliability testing for accurate performance analysis
Learn how to use voltage acceleration in GaN reliability testing for accurate performance analysis

תאריך פרסום: 2023-07-21

Transphorm GaN is powering disruptive changes across various markets and applications
Transphorm GaN is powering disruptive changes across various markets and applications

תאריך פרסום: 2023-07-21

Learn how Transphorm’s innovative, AEC-Q101 GaN devices revolutionize electric vehicle systems
Learn how Transphorm’s innovative, AEC-Q101 GaN devices revolutionize electric vehicle systems

תאריך פרסום: 2023-07-21

Related Product Highlight

Isolated Gate Driver Plus High-Voltage GaN FET Reference Designs Skyworks Solutions and Transphorm's partnership features a reference design that simplifies the evaluation of high voltage GaN FETs.
משאבי תכנון בחנו מגוון של כלים ומשאבים מבית Transphorm כדי לסייע בתכנון יישומי GaN
TP65H050WS/TP65H035WS Third Generation (Gen III) Gallium Nitride (GaN) Field-Effect Transistors (FETs) Transphorm's TP65H050WS and TP65H035WS Gen III GaN FETs feature increased noise immunity and increased gate reliability resulting in quiet switching.

Related Articles and Blogs

מוליכים-למחצה עם פער-אנרגיה (Bandgap‏) רחב דוחפים את הנצילות במרכזי נתונים מכיוון שלמרכזי נתונים יש דרישות אנרגיה עצומות, נדרשים פתרונות הספקת-כוח היכולים להפחית את הפסדי ההספק, להגדיל את הנצילות ולשפר את הבקרה התרמית.
מוליכים-למחצה עם פער-אנרגיה (Bandgap‏) רחב משנים את עולם התחבורה סקטור התחבורה כולו עובר טרנספורמציה רדיקלית, עם פתרונות עבור מכוניות חשמליות והיברידיות והסעת המונים נקיה יותר.
Power GaN Products and Resources Available at DigiKey GaN is making inroads into power design. This blog provides some background and some relevant GaN products and resources now available at DigiKey.

Related Product Training Modules

GaN versus Silicon Carbide (SiC) in Power Electronics Circuit Topologies Overview of GaN versus Silicon Carbide in DC-DC hard switched synchronous boost converter, including a competitive analysis and PFC customer example.