BSM180D12P2E002
התמונה מוצגת להמחשה בלבד יש לקבל את המפרט המדויק מגיליון הנתונים של המוצר.
BSM180D12P2E002
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions
4th Gen SiC MOSFETs

BSM180D12P2E002

מק"ט מוצר של DigiKey
846-BSM180D12P2E002-ND
יצרן
מק"ט מוצר של היצרן
BSM180D12P2E002
תיאור
MOSFET 2N-CH 1200V 204A MODULE
זמן הספקה סטנדרטי של היצרן
שבועות 22
ייחוס לקוח
תיאור מפורט
MOSFET‏ - מערכים 1200V (1.2kV) 204A (Tc) 1360W (Tc) הרכבה בשלדה מודול
גיליון נתונים
 גיליון נתונים
מאפייני המוצר
סוג
תיאור
בחרו הכול
קטגוריה
יצרן
Rohm Semiconductor
סדרה
-
אריזה
בתפזורת
סטטוס החלק
פעיל
טכנולוגיה
קרביד סיליקון (SiC)
תצורה
שתי תעלות-N (חצי-גשר)
מאפיין FET
-
מתח מרזב-למקור (Vdss)
1200V (1.2kV)
זרם - מרזב רצוף (Id) ב- 25°C
204A (Tc)
Rds מצב מופעל (מקס') @ Id, Vgs
-
Vgs(th)‎‏ (מקס') @ Id
V‏4‏ ב-mA‏35.2‏
מטען שער (Qg)‏ (מקס') ב- Vgs
-
קיבוליות כניסה (Ciss‏) (מקס') ב- Vds
18000pF ב-10V
הספק - מקס'
1360W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-40°C ~ 150°C (TJ)
סוג ההרכבה
הרכבה בשלדה
מארז‏ / תיבה
מודול
מארז ההתקן של הספק
מודול
מספר מוצר בסיס
שאלות ותשובות על המוצר

ראו מה שואלים המהנדסים, שאלו שאלות משלכם, או עזרו לחבר בקהילת ההנדסה של DigiKey‏

4 :‏ במלאי
בדקו אם יש מלאי נכנס נוסף
כל המחירים הם ב- ILS
בתפזורת
כמות מחיר יחידה סה"כ
12,424.72000 ₪2,424.72 ₪
מחיר יחידה ללא מע"מ:2,424.72000 ₪
מחיר יחידה עם מע"מ:2,861.16960 ₪