Name: DMTH10H032LFVW-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMTH10H032LFVW-7-ND
Price: 4.0238 ILS
Availability: OutOfStock

DMTH10H032LFVW-7 אזל מהמלאי וניתן להזמין כהזמנה-ממתינה.

תחליפים זמינים:

אקוויוולנטים-פרמטרית

Diodes Incorporated

קיים במלאי: 31

מחיר יחידה : 3.41000 ₪

אקוויוולנטים-פרמטרית

Diodes Incorporated

קיים במלאי: 205

מחיר יחידה : 3.69000 ₪

אקוויוולנטים-פרמטרית

Diodes Incorporated

קיים במלאי: 0

מחיר יחידה : 0.96389 ₪

התמונה מוצגת להמחשה בלבד יש לקבל את המפרט המדויק מגיליון הנתונים של המוצר.

DMTH10H032LFVW-7
מק"ט מוצר של DigiKey	31-DMTH10H032LFVW-7-ND
יצרן	Diodes Incorporated
מק"ט מוצר של היצרן	DMTH10H032LFVW-7
תיאור	MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI33
זמן הספקה סטנדרטי של היצרן	שבועות 12
ייחוס לקוח
תיאור מפורט	תעלת N 100 V 26A (Tc) 1.7W (Ta) הרכבה-משטחית, צד ניתן-להרטבה ‎PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
גיליון נתונים	גיליון נתונים

מאפייני המוצר

סוג	תיאור	בחרו הכול
קטגוריה	מוצרי מוליכים-למחצה בדידים טרנזיסטורים FETs‏, MOSFETs‏ FETs‏, MOSFETs‏ יחידים
יצרן	Diodes Incorporated
סדרה	-
אריזה	בתפזורת
סטטוס החלק	פעיל
סוג FET	תעלת N
טכנולוגיה	MOSFET (תחמוצת מתכת)
מתח מרזב-למקור (Vdss)	100 V
זרם - מרזב רצוף (Id) ב- 25°C	26A (Tc)
מתח דחיפה (Rds On מקס', Rds On מינ')	4.5V, 10V
Rds מצב מופעל (מקס') @ Id, Vgs	mOhm‏30‏, A‏10‏, V‏10‏
Vgs(th)‎‏ (מקס') @ Id	V‏2.5‏ ב-µA‏250‏
מטען שער (Qg)‏ (מקס') ב- Vgs	11.9 nC @ 10 V
Vgs (מקס')	±20V
קיבוליות כניסה (Ciss‏) (מקס') ב- Vds	683 pF @ 50 V
מאפיין FET	-
פיזור הספק (מקס')	1.7W (Ta)
טמפרטורת פעולה	-55°C ~ 175°C (TJ)
דירוג	-
הרשאה	-
סוג ההרכבה	הרכבה-משטחית, צד ניתן-להרטבה
מארז ההתקן של הספק	‎PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
מארז‏ / תיבה	‎8-PowerVDFN
מספר מוצר בסיס	DMTH10

שאלות ותשובות על המוצר

ראו מה שואלים המהנדסים, שאלו שאלות משלכם, או עזרו לחבר בקהילת ההנדסה של DigiKey‏

זמין להזמנה

מלאי מפעל: 64,000‏

בדיקת זמן האספקה

כמות

כל המחירים הם ב- ILS

בתפזורת