Name: G3F25MT12J-TR
Brand: GeneSiC Semiconductor
SKU: 1242-G3F25MT12J-TR-ND
Price: 74.9182 ILS
Availability: InStock

מוצר חדש

התמונה מוצגת להמחשה בלבד יש לקבל את המפרט המדויק מגיליון הנתונים של המוצר.

G3F25MT12J-TR
מק"ט מוצר של DigiKey	1242-G3F25MT12J-TR-ND - סרט וסליל (TR)‏ 1242-G3F25MT12J-TRCT-ND - סרט חתוך (CT)‏ 1242-G3F25MT12J-TRDKR-ND - Digi-Reel®
יצרן	GeneSiC Semiconductor
מק"ט מוצר של היצרן	G3F25MT12J-TR
תיאור	1200V 25M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
זמן הספקה סטנדרטי של היצרן	שבועות 20
ייחוס לקוח
תיאור מפורט	תעלת N 1200 V 87A (Tc) W‏362‏ (Tc‏) הרכבה משטחית ‎TO-263-7‎
גיליון נתונים	גיליון נתונים

מאפייני המוצר

סוג	תיאור	בחרו הכול
קטגוריה	מוצרי מוליכים-למחצה בדידים טרנזיסטורים FETs‏, MOSFETs‏ FETs‏, MOSFETs‏ יחידים
יצרן	GeneSiC Semiconductor
סדרה	-
אריזה	סרט וסליל (TR)‏ סרט חתוך (CT)‏ Digi-Reel®
סטטוס החלק	פעיל
סוג FET	תעלת N
טכנולוגיה	SiC‏ (טרנזיסטור צומת סיליקון קרביד)
מתח מרזב-למקור (Vdss)	1200 V
זרם - מרזב רצוף (Id) ב- 25°C	87A (Tc)
מתח דחיפה (Rds On מקס', Rds On מינ')	18V
Rds מצב מופעל (מקס') @ Id, Vgs	mOhm‏34‏, A‏34‏, V‏18‏
Vgs(th)‎‏ (מקס') @ Id	V‏4.3‏ ב-mA‏24‏
מטען שער (Qg)‏ (מקס') ב- Vgs	128 nC @ 18 V
Vgs (מקס')	+22V, -10V
קיבוליות כניסה (Ciss‏) (מקס') ב- Vds	3325 pF @ 800 V
מאפיין FET	-
פיזור הספק (מקס')	W‏362‏ (Tc‏)
טמפרטורת פעולה	-55°C ~ 175°C (TJ)
דירוג	לרכב
הרשאה	AEC-Q101
סוג ההרכבה	הרכבה משטחית
מארז ההתקן של הספק	‎TO-263-7‎
מארז‏ / תיבה	8‏-263‏-TO‏, PAK‏2‏D‏ (7‏ מוליכים + לשונית), CA‏263‏-TO‏