Name: IMBG65R026M2H
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMBG65R026M2HTR-ND
Price: 49.9966 ILS
Availability: InStock

מוצר חדש

התמונה מוצגת להמחשה בלבד יש לקבל את המפרט המדויק מגיליון הנתונים של המוצר.

IMBG65R026M2H
מק"ט מוצר של DigiKey	448-IMBG65R026M2HTR-ND - סרט וסליל (TR)‏ 448-IMBG65R026M2HCT-ND - סרט חתוך (CT)‏ 448-IMBG65R026M2HDKR-ND - Digi-Reel®
יצרן	Infineon Technologies
מק"ט מוצר של היצרן	IMBG65R026M2H
תיאור	IMBG65R026M2H
זמן הספקה סטנדרטי של היצרן	שבועות 13
ייחוס לקוח
תיאור מפורט	תעלת N 650 V 68A (Tc) 263W (Tc) הרכבה משטחית PG-TO263-7-12
גיליון נתונים	גיליון נתונים

מאפייני המוצר

סוג	תיאור	בחרו הכול
קטגוריה	מוצרי מוליכים-למחצה בדידים טרנזיסטורים FETs‏, MOSFETs‏ FETs‏, MOSFETs‏ יחידים
יצרן	Infineon Technologies
סדרה	CoolSiC™
אריזה	סרט וסליל (TR)‏ סרט חתוך (CT)‏ Digi-Reel®
סטטוס החלק	פעיל
סוג FET	תעלת N
טכנולוגיה	SiCFET‏ (סיליקון קרביד)
מתח מרזב-למקור (Vdss)	650 V
זרם - מרזב רצוף (Id) ב- 25°C	68A (Tc)
מתח דחיפה (Rds On מקס', Rds On מינ')	15V, 20V
Rds מצב מופעל (מקס') @ Id, Vgs	mOhm‏24‏, A‏34.5‏, V‏20‏
Vgs(th)‎‏ (מקס') @ Id	V‏5.6‏ ב-mA‏7‏
מטען שער (Qg)‏ (מקס') ב- Vgs	42 nC @ 18 V
Vgs (מקס')	+23V, -7V
קיבוליות כניסה (Ciss‏) (מקס') ב- Vds	1499 pF @ 400 V
מאפיין FET	-
פיזור הספק (מקס')	263W (Tc)
טמפרטורת פעולה	-55°C ~ 175°C (TJ)
דירוג	-
הרשאה	-
סוג ההרכבה	הרכבה משטחית
מארז ההתקן של הספק	PG-TO263-7-12
מארז‏ / תיבה	8‏-263‏-TO‏, PAK‏2‏D‏ (7‏ מוליכים + לשונית), CA‏263‏-TO‏

שאלות ותשובות על המוצר

ראו מה שואלים המהנדסים, שאלו שאלות משלכם, או עזרו לחבר בקהילת ההנדסה של DigiKey‏

148 :‏ במלאי

בדקו אם יש מלאי נכנס נוסף

כמות

כל המחירים הם ב- ILS

סרט חתוך (CT)‏ & Digi-Reel®