Name: IMT65R50M2HXUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMT65R50M2HXUMA1TR-ND
Price: 31.8482 ILS
Availability: InStock

מוצר חדש

התמונה מוצגת להמחשה בלבד יש לקבל את המפרט המדויק מגיליון הנתונים של המוצר.

IMT65R50M2HXUMA1
מק"ט מוצר של DigiKey	448-IMT65R50M2HXUMA1TR-ND - סרט וסליל (TR)‏ 448-IMT65R50M2HXUMA1CT-ND - סרט חתוך (CT)‏ 448-IMT65R50M2HXUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
יצרן	Infineon Technologies
מק"ט מוצר של היצרן	IMT65R50M2HXUMA1
תיאור	SICFET N-CH 650V 48.1A PG-HSOF
זמן הספקה סטנדרטי של היצרן	שבועות 13
ייחוס לקוח
תיאור מפורט	תעלת N 650 V A48.1‏ (Tc‏) 237W (Tc) הרכבה משטחית PG-HSOF-8-2
גיליון נתונים	גיליון נתונים
מודלים EDA/CAD	IMT65R50M2HXUMA1 דגמים

מאפייני המוצר

סוג	תיאור	בחרו הכול
קטגוריה	מוצרי מוליכים-למחצה בדידים טרנזיסטורים FETs‏, MOSFETs‏ FETs‏, MOSFETs‏ יחידים
יצרן	Infineon Technologies
סדרה	CoolSiC™ G2
אריזה	סרט וסליל (TR)‏ סרט חתוך (CT)‏ Digi-Reel®
סטטוס החלק	פעיל
סוג FET	תעלת N
טכנולוגיה	SiCFET‏ (סיליקון קרביד)
מתח מרזב-למקור (Vdss)	650 V
זרם - מרזב רצוף (Id) ב- 25°C	A48.1‏ (Tc‏)
מתח דחיפה (Rds On מקס', Rds On מינ')	15V, 18V
Rds מצב מופעל (מקס') @ Id, Vgs	mOhm‏62‏, A‏18.2‏, V‏18‏
Vgs(th)‎‏ (מקס') @ Id	V‏5.6‏ ב-mA‏3.7‏
מטען שער (Qg)‏ (מקס') ב- Vgs	22 nC @ 18 V
Vgs (מקס')	+25V, -10V
קיבוליות כניסה (Ciss‏) (מקס') ב- Vds	790 pF @ 400 V
מאפיין FET	-
פיזור הספק (מקס')	237W (Tc)
טמפרטורת פעולה	-55°C ~ 175°C (TJ)
דירוג	-
הרשאה	-
סוג ההרכבה	הרכבה משטחית
מארז ההתקן של הספק	PG-HSOF-8-2
מארז‏ / תיבה	‎10-PowerSFN

שאלות ותשובות על המוצר

ראו מה שואלים המהנדסים, שאלו שאלות משלכם, או עזרו לחבר בקהילת ההנדסה של DigiKey‏

2,000 :‏ במלאי

בדקו אם יש מלאי נכנס נוסף

כמות

כל המחירים הם ב- ILS

סרט חתוך (CT)‏ & Digi-Reel®