
IMW65R057M1HXKSA1 | |
|---|---|
מק"ט מוצר של DigiKey | 448-IMW65R057M1HXKSA1-ND |
יצרן | |
מק"ט מוצר של היצרן | IMW65R057M1HXKSA1 |
תיאור | SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247 |
ייחוס לקוח | |
תיאור מפורט | תעלת N 650 V 35A (Tc) 133W (Tc) חור מעבר PG-TO247-3-41 |
גיליון נתונים | גיליון נתונים |
מודלים EDA/CAD | IMW65R057M1HXKSA1 דגמים |
קטגוריה | Vgs(th) (מקס') @ Id V5.7 ב-mA5 |
יצרן | מטען שער (Qg) (מקס') ב- Vgs 28 nC @ 18 V |
סדרה | Vgs (מקס') +20V, -2V |
אריזה צינור | קיבוליות כניסה (Ciss) (מקס') ב- Vds 930 pF @ 400 V |
סטטוס החלק לא עבור תכנים חדשים: החלק זמין לרכישה | פיזור הספק (מקס') 133W (Tc) |
סוג FET | טמפרטורת פעולה -55°C ~ 175°C (TJ) |
טכנולוגיה | סוג ההרכבה חור מעבר |
מתח מרזב-למקור (Vdss) 650 V | מארז ההתקן של הספק PG-TO247-3-41 |
זרם - מרזב רצוף (Id) ב- 25°C | מארז / תיבה |
מתח דחיפה (Rds On מקס', Rds On מינ') 18V | מספר מוצר בסיס |
Rds מצב מופעל (מקס') @ Id, Vgs mOhm74, A16.7, V18 |
| כמות | מחיר יחידה | סה"כ |
|---|---|---|
| 1 | 34.76000 ₪ | 34.76 ₪ |
| 30 | 20.27600 ₪ | 608.28 ₪ |
| 120 | 17.09625 ₪ | 2,051.55 ₪ |
| 510 | 14.76669 ₪ | 7,531.01 ₪ |
| 1,020 | 13.91722 ₪ | 14,195.56 ₪ |
| 2,010 | 13.21748 ₪ | 26,567.13 ₪ |
| מחיר יחידה ללא מע"מ: | 34.76000 ₪ |
|---|---|
| מחיר יחידה עם מע"מ: | 41.01680 ₪ |





