Name: STB30N65M2AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-STB30N65M2AGTR-ND
Price: 21.7828 ILS
Availability: InStock

התמונה מוצגת להמחשה בלבד יש לקבל את המפרט המדויק מגיליון הנתונים של המוצר.

STB30N65M2AG
מק"ט מוצר של DigiKey	497-STB30N65M2AGTR-ND - סרט וסליל (TR)‏ 497-STB30N65M2AGCT-ND - סרט חתוך (CT)‏ 497-STB30N65M2AGDKR-ND - Digi-Reel®
יצרן	STMicroelectronics
מק"ט מוצר של היצרן	STB30N65M2AG
תיאור	MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK
ייחוס לקוח
תיאור מפורט	תעלת N 650 V 20A (Tc) 190W (Tc) הרכבה משטחית TO-263 (D2PAK)
גיליון נתונים	גיליון נתונים
מודלים EDA/CAD	STB30N65M2AG דגמים

מאפייני המוצר

סוג	תיאור	בחרו הכול
קטגוריה	מוצרי מוליכים-למחצה בדידים טרנזיסטורים FETs‏, MOSFETs‏ FETs‏, MOSFETs‏ יחידים
יצרן	STMicroelectronics
סדרה	-
אריזה	סרט וסליל (TR)‏ סרט חתוך (CT)‏ Digi-Reel®
סטטוס החלק	אפשרות אחרונה לרכישה
סוג FET	תעלת N
טכנולוגיה	MOSFET (תחמוצת מתכת)
מתח מרזב-למקור (Vdss)	650 V
זרם - מרזב רצוף (Id) ב- 25°C	20A (Tc)
מתח דחיפה (Rds On מקס', Rds On מינ')	10V
Rds מצב מופעל (מקס') @ Id, Vgs	mOhm‏180‏, A‏10‏, V‏10‏
Vgs(th)‎‏ (מקס') @ Id	V‏4‏ ב-µA‏250‏
מטען שער (Qg)‏ (מקס') ב- Vgs	30.8 nC @ 10 V
Vgs (מקס')	±25V
קיבוליות כניסה (Ciss‏) (מקס') ב- Vds	1440 pF @ 100 V
מאפיין FET	-
פיזור הספק (מקס')	190W (Tc)
טמפרטורת פעולה	-55°C ~ 150°C (TJ)
דירוג	לרכב
הרשאה	AEC-Q101
סוג ההרכבה	הרכבה משטחית
מארז ההתקן של הספק	TO-263 (D2PAK)
מארז‏ / תיבה	3‏-263‏-TO‏, PAK‏2‏D‏ (2‏ מוליכים + לשונית), AB‏263‏-TO‏
מספר מוצר בסיס	STB30