Name: TJ10S04M3L(T6L1,NQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TJ10S04M3L(T6L1,NQTR-ND
Price: 7.9532 ILS
Availability: InStock

התמונה מוצגת להמחשה בלבד יש לקבל את המפרט המדויק מגיליון הנתונים של המוצר.

TJ10S04M3L(T6L1,NQ
מק"ט מוצר של DigiKey	264-TJ10S04M3L(T6L1,NQTR-ND - סרט וסליל (TR)‏ 264-TJ10S04M3L(T6L1,NQCT-ND - סרט חתוך (CT)‏ 264-TJ10S04M3L(T6L1,NQDKR-ND - Digi-Reel®
יצרן	Toshiba Semiconductor and Storage
מק"ט מוצר של היצרן	TJ10S04M3L(T6L1,NQ
תיאור	MOSFET P-CH 40V 10A DPAK
זמן הספקה סטנדרטי של היצרן	שבועות 16
ייחוס לקוח
תיאור מפורט	תעלת P 40 V 10A (Ta) 27W (Tc) הרכבה משטחית ‎DPAK+‎
גיליון נתונים	גיליון נתונים
מודלים EDA/CAD	TJ10S04M3L(T6L1,NQ דגמים

מאפייני המוצר

סוג	תיאור	בחרו הכול
קטגוריה	מוצרי מוליכים-למחצה בדידים טרנזיסטורים FETs‏, MOSFETs‏ FETs‏, MOSFETs‏ יחידים
יצרן	Toshiba Semiconductor and Storage
סדרה	U-MOSVI
אריזה	סרט וסליל (TR)‏ סרט חתוך (CT)‏ Digi-Reel®
סטטוס החלק	פעיל
סוג FET	תעלת P
טכנולוגיה	MOSFET (תחמוצת מתכת)
מתח מרזב-למקור (Vdss)	40 V
זרם - מרזב רצוף (Id) ב- 25°C	10A (Ta)
מתח דחיפה (Rds On מקס', Rds On מינ')	6V, 10V
Rds מצב מופעל (מקס') @ Id, Vgs	mOhm‏44‏, A‏5‏, V‏10‏
Vgs(th)‎‏ (מקס') @ Id	V‏3‏ ב-mA‏1‏
מטען שער (Qg)‏ (מקס') ב- Vgs	19 nC @ 10 V
Vgs (מקס')	+10V, -20V
קיבוליות כניסה (Ciss‏) (מקס') ב- Vds	930 pF @ 10 V
מאפיין FET	-
פיזור הספק (מקס')	27W (Tc)
טמפרטורת פעולה	175°C (TJ)
דירוג	-
הרשאה	-
סוג ההרכבה	הרכבה משטחית
מארז ההתקן של הספק	‎DPAK+‎
מארז‏ / תיבה	3‏-252‏-TO‏, DPAK‏ (2‏ מוליכים + לשונית), 63‏ SC‏
מספר מוצר בסיס	TJ10S04