Name: TK62J60W,S1VQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK62J60WS1VQ-ND
Price: 70.7646 ILS
Availability: OutOfStock

TK62J60W,S1VQ אזל מהמלאי וניתן להזמין כהזמנה-ממתינה.

תחליפים זמינים:

דומים

onsemi

קיים במלאי: 1,348

מחיר יחידה : 69.16000 ₪

דומים

onsemi

קיים במלאי: 348

מחיר יחידה : 41.05000 ₪

התמונה מוצגת להמחשה בלבד יש לקבל את המפרט המדויק מגיליון הנתונים של המוצר.

TK62J60W,S1VQ
מק"ט מוצר של DigiKey	TK62J60WS1VQ-ND
יצרן	Toshiba Semiconductor and Storage
מק"ט מוצר של היצרן	TK62J60W,S1VQ
תיאור	MOSFET N-CH 600V 61.8A TO3P
זמן הספקה סטנדרטי של היצרן	שבועות 16
ייחוס לקוח
תיאור מפורט	תעלת N 600 V 61.8A (Ta) 400W (Tc) חור מעבר ‎TO-3P(N)‎
גיליון נתונים	גיליון נתונים
מודלים EDA/CAD	TK62J60W,S1VQ דגמים

מאפייני המוצר

סוג	תיאור	בחרו הכול
קטגוריה	מוצרי מוליכים-למחצה בדידים טרנזיסטורים FETs‏, MOSFETs‏ FETs‏, MOSFETs‏ יחידים
יצרן	Toshiba Semiconductor and Storage
סדרה	DTMOSIV
אריזה	צינור
סטטוס החלק	פעיל
סוג FET	תעלת N
טכנולוגיה	MOSFET (תחמוצת מתכת)
מתח מרזב-למקור (Vdss)	600 V
זרם - מרזב רצוף (Id) ב- 25°C	61.8A (Ta)
מתח דחיפה (Rds On מקס', Rds On מינ')	10V
Rds מצב מופעל (מקס') @ Id, Vgs	mOhm‏38‏, A‏30.9‏, V‏10‏
Vgs(th)‎‏ (מקס') @ Id	V‏3.7‏ ב-mA‏3.1‏
מטען שער (Qg)‏ (מקס') ב- Vgs	180 nC @ 10 V
Vgs (מקס')	±30V
קיבוליות כניסה (Ciss‏) (מקס') ב- Vds	6500 pF @ 300 V
מאפיין FET	-
פיזור הספק (מקס')	400W (Tc)
טמפרטורת פעולה	150°C (TJ)
דירוג	-
הרשאה	-
סוג ההרכבה	חור מעבר
מארז ההתקן של הספק	‎TO-3P(N)‎
מארז‏ / תיבה	TO-3P-3, SC-65-3
מספר מוצר בסיס	TK62J60