Name: TW083U65C,RQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TW083U65CRQTR-ND
Price: 97.4916 ILS
Availability: InStock

מוצר חדש

התמונה מוצגת להמחשה בלבד יש לקבל את המפרט המדויק מגיליון הנתונים של המוצר.

TW083U65C,RQ
מק"ט מוצר של DigiKey	264-TW083U65CRQTR-ND - סרט וסליל (TR)‏ 264-TW083U65CRQCT-ND - סרט חתוך (CT)‏ 264-TW083U65CRQDKR-ND - Digi-Reel®
יצרן	Toshiba Semiconductor and Storage
מק"ט מוצר של היצרן	TW083U65C,RQ
תיאור	N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.083 (T
זמן הספקה סטנדרטי של היצרן	שבועות 24
ייחוס לקוח
תיאור מפורט	תעלת N 650 V 28A (Tc) 111W (Tc) הרכבה משטחית TOLL
גיליון נתונים	גיליון נתונים

מאפייני המוצר

סוג	תיאור	בחרו הכול
קטגוריה	מוצרי מוליכים-למחצה בדידים טרנזיסטורים FETs‏, MOSFETs‏ FETs‏, MOSFETs‏ יחידים
יצרן	Toshiba Semiconductor and Storage
סדרה	-
אריזה	סרט וסליל (TR)‏ סרט חתוך (CT)‏ Digi-Reel®
סטטוס החלק	פעיל
סוג FET	תעלת N
טכנולוגיה	SiCFET‏ (סיליקון קרביד)
מתח מרזב-למקור (Vdss)	650 V
זרם - מרזב רצוף (Id) ב- 25°C	28A (Tc)
מתח דחיפה (Rds On מקס', Rds On מינ')	18V
Rds מצב מופעל (מקס') @ Id, Vgs	mOhm‏124‏, A‏15‏, V‏18‏
Vgs(th)‎‏ (מקס') @ Id	V‏5‏ ב-µA‏600‏
מטען שער (Qg)‏ (מקס') ב- Vgs	28 nC @ 18 V
Vgs (מקס')	+25V, -10V
קיבוליות כניסה (Ciss‏) (מקס') ב- Vds	873 pF @ 400 V
מאפיין FET	-
פיזור הספק (מקס')	111W (Tc)
טמפרטורת פעולה	175°C
דירוג	-
הרשאה	-
סוג ההרכבה	הרכבה משטחית
מארז ההתקן של הספק	TOLL
מארז‏ / תיבה	‎10-PowerSFN