Name: SI4114DY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4114DY-T1-GE3TR-ND
Price: 10.2778 ILS
Availability: InStock

התמונה מוצגת להמחשה בלבד יש לקבל את המפרט המדויק מגיליון הנתונים של המוצר.

SI4114DY-T1-GE3
מק"ט מוצר של DigiKey	SI4114DY-T1-GE3TR-ND - סרט וסליל (TR)‏ SI4114DY-T1-GE3CT-ND - סרט חתוך (CT)‏ SI4114DY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
יצרן	Vishay Siliconix
מק"ט מוצר של היצרן	SI4114DY-T1-GE3
תיאור	MOSFET N-CH 20V 20A 8SO
זמן הספקה סטנדרטי של היצרן	שבועות 24
ייחוס לקוח
תיאור מפורט	תעלת N 20 V 20A (Tc) 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) הרכבה משטחית 8-SOIC
גיליון נתונים	גיליון נתונים
מודלים EDA/CAD	SI4114DY-T1-GE3 דגמים

מאפייני המוצר

סוג	תיאור	בחרו הכול
קטגוריה	מוצרי מוליכים-למחצה בדידים טרנזיסטורים FETs‏, MOSFETs‏ FETs‏, MOSFETs‏ יחידים
יצרן	Vishay Siliconix
סדרה	TrenchFET®
אריזה	סרט וסליל (TR)‏ סרט חתוך (CT)‏ Digi-Reel®
סטטוס החלק	פעיל
סוג FET	תעלת N
טכנולוגיה	MOSFET (תחמוצת מתכת)
מתח מרזב-למקור (Vdss)	20 V
זרם - מרזב רצוף (Id) ב- 25°C	20A (Tc)
מתח דחיפה (Rds On מקס', Rds On מינ')	4.5V, 10V
Rds מצב מופעל (מקס') @ Id, Vgs	mOhm‏6‏, A‏10‏, V‏10‏
Vgs(th)‎‏ (מקס') @ Id	V‏2.1‏ ב-µA‏250‏
מטען שער (Qg)‏ (מקס') ב- Vgs	95 nC @ 10 V
Vgs (מקס')	±16V
קיבוליות כניסה (Ciss‏) (מקס') ב- Vds	3700 pF @ 10 V
מאפיין FET	-
פיזור הספק (מקס')	2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
טמפרטורת פעולה	-55°C ~ 150°C (TJ)
דירוג	-
הרשאה	-
סוג ההרכבה	הרכבה משטחית
מארז ההתקן של הספק	8-SOIC
מארז‏ / תיבה	‎8-SOIC (רוחב "0.154, 3.90 מ"מ)
מספר מוצר בסיס	SI4114