Name: SI4166DY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4166DY-T1-GE3TR-ND
Price: 3.8114 ILS
Availability: InStock

התמונה מוצגת להמחשה בלבד יש לקבל את המפרט המדויק מגיליון הנתונים של המוצר.

SI4166DY-T1-GE3
מק"ט מוצר של DigiKey	SI4166DY-T1-GE3TR-ND - סרט וסליל (TR)‏ SI4166DY-T1-GE3CT-ND - סרט חתוך (CT)‏ SI4166DY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
יצרן	Vishay Siliconix
מק"ט מוצר של היצרן	SI4166DY-T1-GE3
תיאור	MOSFET N-CH 30V 30.5A 8SO
זמן הספקה סטנדרטי של היצרן	שבועות 19
ייחוס לקוח
תיאור מפורט	תעלת N 30 V 30.5A (Tc) 3W (Ta), 6.5W (Tc) הרכבה משטחית 8-SOIC
גיליון נתונים	גיליון נתונים
מודלים EDA/CAD	SI4166DY-T1-GE3 דגמים

מאפייני המוצר

סוג	תיאור	בחרו הכול
קטגוריה	מוצרי מוליכים-למחצה בדידים טרנזיסטורים FETs‏, MOSFETs‏ FETs‏, MOSFETs‏ יחידים
יצרן	Vishay Siliconix
סדרה	TrenchFET®
אריזה	סרט וסליל (TR)‏ סרט חתוך (CT)‏ Digi-Reel®
סטטוס החלק	פעיל
סוג FET	תעלת N
טכנולוגיה	MOSFET (תחמוצת מתכת)
מתח מרזב-למקור (Vdss)	30 V
זרם - מרזב רצוף (Id) ב- 25°C	30.5A (Tc)
מתח דחיפה (Rds On מקס', Rds On מינ')	4.5V, 10V
Rds מצב מופעל (מקס') @ Id, Vgs	mOhm‏3.9‏, A‏15‏, V‏10‏
Vgs(th)‎‏ (מקס') @ Id	V‏2.4‏ ב-µA‏250‏
מטען שער (Qg)‏ (מקס') ב- Vgs	65 nC @ 10 V
Vgs (מקס')	±20V
קיבוליות כניסה (Ciss‏) (מקס') ב- Vds	2730 pF @ 15 V
מאפיין FET	-
פיזור הספק (מקס')	3W (Ta), 6.5W (Tc)
טמפרטורת פעולה	-55°C ~ 150°C (TJ)
דירוג	-
הרשאה	-
סוג ההרכבה	הרכבה משטחית
מארז ההתקן של הספק	8-SOIC
מארז‏ / תיבה	‎8-SOIC (רוחב "0.154, 3.90 מ"מ)
מספר מוצר בסיס	SI4166