Name: SIDR638DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIDR638DP-T1-GE3TR-ND
Price: 11.0094 ILS
Availability: InStock

התמונה מוצגת להמחשה בלבד יש לקבל את המפרט המדויק מגיליון הנתונים של המוצר.

SIDR638DP-T1-GE3
מק"ט מוצר של DigiKey	SIDR638DP-T1-GE3TR-ND - סרט וסליל (TR)‏ SIDR638DP-T1-GE3CT-ND - סרט חתוך (CT)‏ SIDR638DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
יצרן	Vishay Siliconix
מק"ט מוצר של היצרן	SIDR638DP-T1-GE3
תיאור	MOSFET N-CH 40V 100A PPAK SO-8DC
זמן הספקה סטנדרטי של היצרן	שבועות 28
ייחוס לקוח
תיאור מפורט	תעלת N 40 V 100A (Tc) 125W (Tc) הרכבה משטחית PowerPAK® SO-8DC
גיליון נתונים	גיליון נתונים
מודלים EDA/CAD	SIDR638DP-T1-GE3 דגמים

מאפייני המוצר

סוג	תיאור	בחרו הכול
קטגוריה	מוצרי מוליכים-למחצה בדידים טרנזיסטורים FETs‏, MOSFETs‏ FETs‏, MOSFETs‏ יחידים
יצרן	Vishay Siliconix
סדרה	TrenchFET® Gen IV
אריזה	סרט וסליל (TR)‏ סרט חתוך (CT)‏ Digi-Reel®
סטטוס החלק	פעיל
סוג FET	תעלת N
טכנולוגיה	MOSFET (תחמוצת מתכת)
מתח מרזב-למקור (Vdss)	40 V
זרם - מרזב רצוף (Id) ב- 25°C	100A (Tc)
מתח דחיפה (Rds On מקס', Rds On מינ')	4.5V, 10V
Rds מצב מופעל (מקס') @ Id, Vgs	mOhm‏0.88‏, A‏20‏, V‏10‏
Vgs(th)‎‏ (מקס') @ Id	V‏2.3‏ ב-µA‏250‏
מטען שער (Qg)‏ (מקס') ב- Vgs	204 nC @ 10 V
Vgs (מקס')	+20V, -16V
קיבוליות כניסה (Ciss‏) (מקס') ב- Vds	10500 pF @ 20 V
מאפיין FET	-
פיזור הספק (מקס')	125W (Tc)
טמפרטורת פעולה	-55°C ~ 150°C (TJ)
דירוג	-
הרשאה	-
סוג ההרכבה	הרכבה משטחית
מארז ההתקן של הספק	PowerPAK® SO-8DC
מארז‏ / תיבה	PowerPAK® SO-8
מספר מוצר בסיס	SIDR638