Name: SIR882BDP-T1-RE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIR882BDP-T1-RE3TR-ND
Price: 7.4576 ILS
Availability: InStock

התמונה מוצגת להמחשה בלבד יש לקבל את המפרט המדויק מגיליון הנתונים של המוצר.

SIR882BDP-T1-RE3
מק"ט מוצר של DigiKey	742-SIR882BDP-T1-RE3TR-ND - סרט וסליל (TR)‏ 742-SIR882BDP-T1-RE3CT-ND - סרט חתוך (CT)‏ 742-SIR882BDP-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel®
יצרן	Vishay Siliconix
מק"ט מוצר של היצרן	SIR882BDP-T1-RE3
תיאור	MOSFET N-CH 100V 16.5/67.5A PPAK
זמן הספקה סטנדרטי של היצרן	שבועות 24
ייחוס לקוח
תיאור מפורט	תעלת N 100 V 16.5A (Ta), 67.5A (Tc) 5W (Ta), 83.3W (Tc) הרכבה משטחית PowerPAK® SO-8
גיליון נתונים	גיליון נתונים
מודלים EDA/CAD	SIR882BDP-T1-RE3 דגמים

מאפייני המוצר

סוג	תיאור	בחרו הכול
קטגוריה	מוצרי מוליכים-למחצה בדידים טרנזיסטורים FETs‏, MOSFETs‏ FETs‏, MOSFETs‏ יחידים
יצרן	Vishay Siliconix
סדרה	TrenchFET® Gen IV
אריזה	סרט וסליל (TR)‏ סרט חתוך (CT)‏ Digi-Reel®
סטטוס החלק	פעיל
סוג FET	תעלת N
טכנולוגיה	MOSFET (תחמוצת מתכת)
מתח מרזב-למקור (Vdss)	100 V
זרם - מרזב רצוף (Id) ב- 25°C	16.5A (Ta), 67.5A (Tc)
מתח דחיפה (Rds On מקס', Rds On מינ')	4.5V, 10V
Rds מצב מופעל (מקס') @ Id, Vgs	mOhm‏8.3‏, A‏15‏, V‏10‏
Vgs(th)‎‏ (מקס') @ Id	V‏2.3‏ ב-µA‏250‏
מטען שער (Qg)‏ (מקס') ב- Vgs	81 nC @ 10 V
Vgs (מקס')	±20V
קיבוליות כניסה (Ciss‏) (מקס') ב- Vds	3762 pF @ 50 V
מאפיין FET	-
פיזור הספק (מקס')	5W (Ta), 83.3W (Tc)
טמפרטורת פעולה	-55°C ~ 150°C (TJ)
דירוג	-
הרשאה	-
סוג ההרכבה	הרכבה משטחית
מארז ההתקן של הספק	PowerPAK® SO-8
מארז‏ / תיבה	PowerPAK® SO-8
מספר מוצר בסיס	SIR882