Name: SISH112DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SISH112DN-T1-GE3TR-ND
Price: 8.6376 ILS
Availability: InStock

התמונה מוצגת להמחשה בלבד יש לקבל את המפרט המדויק מגיליון הנתונים של המוצר.

SISH112DN-T1-GE3
מק"ט מוצר של DigiKey	742-SISH112DN-T1-GE3TR-ND - סרט וסליל (TR)‏ 742-SISH112DN-T1-GE3CT-ND - סרט חתוך (CT)‏ 742-SISH112DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
יצרן	Vishay Siliconix
מק"ט מוצר של היצרן	SISH112DN-T1-GE3
תיאור	MOSFET N-CH 30V 11.3A PPAK
זמן הספקה סטנדרטי של היצרן	שבועות 19
ייחוס לקוח
תיאור מפורט	תעלת N 30 V 11.3A (Tc) 1.5W (Tc) הרכבה משטחית PowerPAK® 1212-8SH
גיליון נתונים	גיליון נתונים

מאפייני המוצר

סוג	תיאור	בחרו הכול
קטגוריה	מוצרי מוליכים-למחצה בדידים טרנזיסטורים FETs‏, MOSFETs‏ FETs‏, MOSFETs‏ יחידים
יצרן	Vishay Siliconix
סדרה	TrenchFET®
אריזה	סרט וסליל (TR)‏ סרט חתוך (CT)‏ Digi-Reel®
סטטוס החלק	פעיל
סוג FET	תעלת N
טכנולוגיה	MOSFET (תחמוצת מתכת)
מתח מרזב-למקור (Vdss)	30 V
זרם - מרזב רצוף (Id) ב- 25°C	11.3A (Tc)
מתח דחיפה (Rds On מקס', Rds On מינ')	4.5V, 10V
Rds מצב מופעל (מקס') @ Id, Vgs	mOhm‏7.5‏, A‏17.8‏, V‏10‏
Vgs(th)‎‏ (מקס') @ Id	V‏1.5‏ ב-µA‏250‏
מטען שער (Qg)‏ (מקס') ב- Vgs	27 nC @ 4.5 V
Vgs (מקס')	±12V
קיבוליות כניסה (Ciss‏) (מקס') ב- Vds	2610 pF @ 15 V
מאפיין FET	-
פיזור הספק (מקס')	1.5W (Tc)
טמפרטורת פעולה	-50°C ~ 150°C (TJ)
דירוג	-
הרשאה	-
סוג ההרכבה	הרכבה משטחית
מארז ההתקן של הספק	PowerPAK® 1212-8SH
מארז‏ / תיבה	PowerPAK® 1212-8SH
מספר מוצר בסיס	SISH112