Name: SIZ200DT-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIZ200DT-T1-GE3TR-ND
Price: 6.608 ILS
Availability: OutOfStock

התמונה מוצגת להמחשה בלבד יש לקבל את המפרט המדויק מגיליון הנתונים של המוצר.

SIZ200DT-T1-GE3
מק"ט מוצר של DigiKey	SIZ200DT-T1-GE3TR-ND - סרט וסליל (TR)‏ SIZ200DT-T1-GE3CT-ND - סרט חתוך (CT)‏ SIZ200DT-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
יצרן	Vishay Siliconix
מק"ט מוצר של היצרן	SIZ200DT-T1-GE3
תיאור	MOSFET 2N-CH 30V 22A 8POWERPAIR
זמן הספקה סטנדרטי של היצרן	שבועות 28
ייחוס לקוח
תיאור מפורט	MOSFET‏ - מערכים 30V 22A (Ta), 61A (Tc), 22A (Ta), 60A (Tc) 4.3W (Ta), 33W (Tc) הרכבה משטחית ‎8-PowerPair® (3.3×3.3)‎
גיליון נתונים	גיליון נתונים
מודלים EDA/CAD	SIZ200DT-T1-GE3 דגמים

מאפייני המוצר

סוג	תיאור	בחרו הכול
קטגוריה	מוצרי מוליכים-למחצה בדידים טרנזיסטורים FETs‏, MOSFETs‏ מערכי FET‏, MOSFET‏
יצרן	Vishay Siliconix
סדרה	TrenchFET® Gen IV
אריזה	סרט וסליל (TR)‏ סרט חתוך (CT)‏ Digi-Reel®
סטטוס החלק	פעיל
טכנולוגיה	MOSFET (תחמוצת מתכת)
תצורה	2 תעלות N (כפול)
מאפיין FET	-
מתח מרזב-למקור (Vdss)	30V
זרם - מרזב רצוף (Id) ב- 25°C	22A (Ta), 61A (Tc), 22A (Ta), 60A (Tc)
Rds מצב מופעל (מקס') @ Id, Vgs	mOhm‏5.5‏ ב-A‏10‏, V‏10‏, mOhm‏5.8‏ ב-A‏10‏, V‏10‏
Vgs(th)‎‏ (מקס') @ Id	V‏2.4‏ ב-µA‏250‏
מטען שער (Qg)‏ (מקס') ב- Vgs	nC‏28‏ ב-V‏10, nC‏30‏ ב-V‏10
קיבוליות כניסה (Ciss‏) (מקס') ב- Vds	1510pF ב-15V, 1600pF ב-15V
הספק - מקס'	4.3W (Ta), 33W (Tc)
טמפרטורת פעולה	-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג ההרכבה	הרכבה משטחית
מארז‏ / תיבה	‎8-PowerWDFN
מארז ההתקן של הספק	‎8-PowerPair® (3.3×3.3)‎
מספר מוצר בסיס	SIZ200