Name: SQS415ENW-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQS415ENW-T1_GE3TR-ND
Price: 6.7614 ILS
Availability: InStock

התמונה מוצגת להמחשה בלבד יש לקבל את המפרט המדויק מגיליון הנתונים של המוצר.

SQS415ENW-T1_GE3
מק"ט מוצר של DigiKey	SQS415ENW-T1_GE3TR-ND - סרט וסליל (TR)‏ SQS415ENW-T1_GE3CT-ND - סרט חתוך (CT)‏ SQS415ENW-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
יצרן	Vishay Siliconix
מק"ט מוצר של היצרן	SQS415ENW-T1_GE3
תיאור	MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8W
זמן הספקה סטנדרטי של היצרן	שבועות 22
ייחוס לקוח
תיאור מפורט	תעלת P 40 V 16A (Tc) 62.5W (Tc) הרכבה משטחית PowerPAK® 1212-8W
גיליון נתונים	גיליון נתונים

מאפייני המוצר

סוג	תיאור	בחרו הכול
קטגוריה	מוצרי מוליכים-למחצה בדידים טרנזיסטורים FETs‏, MOSFETs‏ FETs‏, MOSFETs‏ יחידים
יצרן	Vishay Siliconix
סדרה	TrenchFET®
אריזה	סרט וסליל (TR)‏ סרט חתוך (CT)‏ Digi-Reel®
סטטוס החלק	פעיל
סוג FET	תעלת P
טכנולוגיה	MOSFET (תחמוצת מתכת)
מתח מרזב-למקור (Vdss)	40 V
זרם - מרזב רצוף (Id) ב- 25°C	16A (Tc)
מתח דחיפה (Rds On מקס', Rds On מינ')	4.5V, 10V
Rds מצב מופעל (מקס') @ Id, Vgs	mOhm‏16.1‏, A‏12‏, V‏10‏
Vgs(th)‎‏ (מקס') @ Id	V‏2.5‏ ב-µA‏250‏
מטען שער (Qg)‏ (מקס') ב- Vgs	82 nC @ 10 V
Vgs (מקס')	±20V
קיבוליות כניסה (Ciss‏) (מקס') ב- Vds	4825 pF @ 25 V
מאפיין FET	-
פיזור הספק (מקס')	62.5W (Tc)
טמפרטורת פעולה	-55°C ~ 175°C (TJ)
דירוג	לרכב
הרשאה	AEC-Q101
סוג ההרכבה	הרכבה משטחית
מארז ההתקן של הספק	PowerPAK® 1212-8W
מארז‏ / תיבה	PowerPAK® 1212-8W
מספר מוצר בסיס	SQS415