GaN Power Transistors

Infineon CoolGaN™ highly efficient normally-off devices enable next-level power density

Image of Infineon GaN Power Transistors Infineon CoolGaN transistors feature fast turn-on and turn-off speeds, minimal switching losses, and a wide variety of package options. Qualified to rigorous criteria, CoolGaN exceeds industry standards and significantly enhances overall system performance while minimizing system costs and increasing ease of use.

Features
  • 60 V to 120 V e-mode transistors
  • Dual-side and bottom-side cooled package options
  • No reverse recovery charge
  • Reverse conduction capability
  • Low gate charge, low output charge
  • Qualified beyond JEDEC standards
Benefits
  • Exceptional power density
  • Highest efficiency
  • Improved thermal management
  • Excellent reliability
  • Lowering BOM cost
  • Short time-to-market with ready-to-use reference boards
Applications
  • Audio amplifiers
  • Battery-powered tools
  • Drones
  • Photovoltaic
  • Robotics
  • SMPS
  • Telecommunication infrastructure
  • USB-C® adapters and chargers

GaN Power Transistors

תמונהמק"ט יצרןתיאורכמות זמינהמחירהצגת הפרטים
MV GAN DISCRETESIGC033S101XTMA1MV GAN DISCRETESמיידית - 4082$15.41הצגת הפרטים
MV GAN DISCRETESIGC033S10S1XTMA1MV GAN DISCRETESמיידית - 97$15.41הצגת הפרטים
MV GAN DISCRETESIGB110S101XTMA1MV GAN DISCRETESמיידית - 3906$8.06הצגת הפרטים
MV GAN DISCRETESIGB110S10S1XTMA1MV GAN DISCRETESמיידית - 0$8.06הצגת הפרטים
MV GAN DISCRETESIGC019S06S1XTMA1MV GAN DISCRETESמיידית - 3019$15.41הצגת הפרטים
MV GAN DISCRETESIGC025S08S1XTMA1MV GAN DISCRETESמיידית - 3730$15.41הצגת הפרטים
MV GAN DISCRETESIGC037S12S1XTMA1MV GAN DISCRETESמיידית - 2807$15.41הצגת הפרטים
200 V G3 IN PQFN 3X5, 6.7 M,DSCIGC090S20S1XTMA1200 V G3 IN PQFN 3X5, 6.7 M,DSCמיידית - 0$18.71הצגת הפרטים
MV GAN DISCRETESIGB070S10S1XTMA1MV GAN DISCRETESמיידית - 4164$11.33הצגת הפרטים

Related Products

תמונהמק"ט יצרןתיאורכמות זמינהמחירהצגת הפרטים
EVALMTR48V20AGANTOBO1EVALMTR48V20AGANTOBO1EVALMTR48V20AGANTOBO1מיידית - 1$497.96הצגת הפרטים
2025-07-22 תאריך הפרסום