Name: SCTL35N65G2V
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-SCTL35N65G2VTR-ND
Price: 67.7556 ILS
Availability: InStock

התמונה מוצגת להמחשה בלבד יש לקבל את המפרט המדויק מגיליון הנתונים של המוצר.

SCTL35N65G2V
מק"ט מוצר של DigiKey	497-SCTL35N65G2VTR-ND - סרט וסליל (TR)‏ 497-SCTL35N65G2VCT-ND - סרט חתוך (CT)‏ 497-SCTL35N65G2VDKR-ND - Digi-Reel®
יצרן	STMicroelectronics
מק"ט מוצר של היצרן	SCTL35N65G2V
תיאור	TRANS SJT N-CH 650V PWRFLAT HV
זמן הספקה סטנדרטי של היצרן	שבועות 16
ייחוס לקוח
תיאור מפורט	תעלת N 650 V 40A (Tc) 417W (Tc) הרכבה משטחית PowerFlat™ (8×8) HV
גיליון נתונים	גיליון נתונים
מודלים EDA/CAD	SCTL35N65G2V דגמים

מאפייני המוצר

סוג	תיאור	בחרו הכול
קטגוריה	מוצרי מוליכים-למחצה בדידים טרנזיסטורים FETs‏, MOSFETs‏ FETs‏, MOSFETs‏ יחידים
יצרן	STMicroelectronics
סדרה	-
אריזה	סרט וסליל (TR)‏ סרט חתוך (CT)‏ Digi-Reel®
סטטוס החלק	פעיל
סוג FET	תעלת N
טכנולוגיה	SiCFET‏ (סיליקון קרביד)
מתח מרזב-למקור (Vdss)	650 V
זרם - מרזב רצוף (Id) ב- 25°C	40A (Tc)
Rds מצב מופעל (מקס') @ Id, Vgs	mOhm‏67‏, A‏20‏, V‏20‏
Vgs(th)‎‏ (מקס') @ Id	V‏5‏ ב-mA‏1‏
מטען שער (Qg)‏ (מקס') ב- Vgs	73 nC @ 20 V
Vgs (מקס')	+22V, -10V
קיבוליות כניסה (Ciss‏) (מקס') ב- Vds	1370 pF @ 400 V
מאפיין FET	-
פיזור הספק (מקס')	417W (Tc)
טמפרטורת פעולה	-55°C ~ 175°C (TJ)
דירוג	-
הרשאה	-
סוג ההרכבה	הרכבה משטחית
מארז ההתקן של הספק	PowerFlat™ (8×8) HV
מארז‏ / תיבה	PowerVDFN‏-4‏
מספר מוצר בסיס	SCTL35