TK65G10N1,RQ Toshiba Semiconductor and Storage | FETs‏, MOSFETs‏ יחידים

TK65G10N1,RQ פריט שהתיישן ואינו מיוצר עוד.

תחליפים זמינים:

דומים

Toshiba Semiconductor and Storage

קיים במלאי: 3,678

מחיר יחידה : 7.82000 ₪

דומים

onsemi

קיים במלאי: 820

מחיר יחידה : 16.08000 ₪

דומים

STMicroelectronics

קיים במלאי: 49

מחיר יחידה : 13.39000 ₪

התמונה מוצגת להמחשה בלבד יש לקבל את המפרט המדויק מגיליון הנתונים של המוצר.

TK65G10N1,RQ
מק"ט מוצר של DigiKey	TK65G10N1RQTR-ND - סרט וסליל (TR)‏
יצרן	Toshiba Semiconductor and Storage
מק"ט מוצר של היצרן	TK65G10N1,RQ
תיאור	MOSFET N-CH 100V 65A D2PAK
ייחוס לקוח
תיאור מפורט	תעלת N 100 V 65A (Ta) 156W (Tc) הרכבה משטחית ‎D2PAK‎
מודלים EDA/CAD	TK65G10N1,RQ דגמים

מאפייני המוצר

סינון מוצרים דומים

הצגת ערכים ריקים

קטגוריה מוצרי מוליכים-למחצה בדידים טרנזיסטורים FETs‏, MOSFETs‏ FETs‏, MOSFETs‏ יחידים	Vgs(th)‎‏ (מקס') @ Id V‏4‏ ב-mA‏1‏
יצרן Toshiba Semiconductor and Storage	מטען שער (Qg)‏ (מקס') ב- Vgs 81 nC @ 10 V
סדרה U-MOSVIII-H	Vgs (מקס') ±20V
אריזה סרט וסליל (TR)‏	קיבוליות כניסה (Ciss‏) (מקס') ב- Vds 5400 pF @ 50 V
סטטוס החלק מוצר שהתיישן	פיזור הספק (מקס') 156W (Tc)
סוג FET תעלת N	טמפרטורת פעולה 150°C (TJ)
טכנולוגיה MOSFET (תחמוצת מתכת)	סוג ההרכבה הרכבה משטחית
מתח מרזב-למקור (Vdss) 100 V	מארז ההתקן של הספק ‎D2PAK‎
זרם - מרזב רצוף (Id) ב- 25°C 65A (Ta)	מארז‏ / תיבה 3‏-263‏-TO‏, PAK‏2‏D‏ (2‏ מוליכים + לשונית), AB‏263‏-TO‏
מתח דחיפה (Rds On מקס', Rds On מינ') 10V	מספר מוצר בסיס TK65G10
Rds מצב מופעל (מקס') @ Id, Vgs mOhm‏4.5‏, A‏32.5‏, V‏10‏

דיווח על שגיאה בפרטי מוצר

מסמכים ומדיה

קטגוריות סביבה וייצוא

משאבים נוספים

תחליפים (3)

מק"ט	יצרן	כמות זמינה	מק"ט מוצר של DigiKey	מחיר יחידה	סוג תחליף
TPH3R70APL,L1Q	Toshiba Semiconductor and Storage	3,678	264-TPH3R70APLL1QCT-ND	7.82000 ₪	דומים
FDB047N10	onsemi	820	FDB047N10CT-ND	16.08000 ₪	דומים
STH150N10F7-2	STMicroelectronics	49	497-14979-1-ND	13.39000 ₪	דומים

מיושן

מוצר זה אינו מיוצר יותר. הצגת תחליפים.

יתכן ותהיה מעוניין גם ב-

1 פריטים

TPH3R70APL,L1Q

MOSFET N-CH 100V 90A 8SOP

Toshiba Semiconductor and Storage

TK65G10N1,RQ