Microchip Technology

מוצרים בדידים מוליכים-למחצה סיליקון קרביד

מוצרי המוליכים למחצה סיליקון קרביד מבית Microchip Technology מציעים פעולה בטמפרטורה גבוהה, ומשפרים את האמינות בצפיפות הספק מוגדלת

תמונה של מוצרים בדידים מוליכים-למחצה סיליקון קרביד מבית Microchip Technology‏המוליכים-למחצה סיליקון קרביד (SiC) מבית Microchip Technology מספקים אופציה חדשנית עבור מתכנני אלקטרוניקה להספק המחפשים נצילות מערכת משופרת, גורם צורה קטן יותר וטמפרטורת פעולה גבוהה יותר ביישומי תעשייה, תחבורה/רכב, רפואה, חלל/תעופה, הגנה וביטחון ותקשורת. הדור הבא של רכיבי SiC MOSFET ו- SBD SiC מתוכננים עם יכולת מיתוג אינדוקטיבי לא-מהודק (UIS) חוזר ונשנה גבוה יותר בהתנגדות מצב-מופעל או זרם נומינליים. רכיבי SiC MOSFET אלה שומרים על יכולת UIS גבוהה של כ- 10 ג'אול עד 25 ג'אול לסנטימטר רבוע (2‏J/cm‏) והגנת קצר חסונה. דיודות מחסום SiC Schottky‏ (SBD) מבית Microchip מתוכננות עם דירוג זרם נחשול, מתח קדומני, התנגדות תרמית וקיבוליות תרמית מאוזנים בזרם הפוך נמוך לטובת הפסדי מיתוג נמוכים יותר. בנוסף, ניתן להתאים את ה- SiC MOSFET ו- SiC SBD לשימוש בתוך מודולים. מוצרי SiC MOSFET ו- SiC SBD מבית Microchip יהיו מורשים לתקן AEC-Q101.

מאפיינים

  • הפסדי מיתוג נמוכים ביותר המשפרים את נצילות המערכת
  • צפיפות הספק גבוהה עבור חתימת-שטח קטנה יותר כדי להפחית את הגודל והמשקל
  • הולכה תרמית פי 3 יותר לעומת סיליקון
  • דרישות צלעות קירור מופחתות להשגת גודל קטן יותר ומשקל קל יותר
  • פעולה בטמפרטורה גבוהה משפרת את האמינות בצפיפות הספק מוגדלת
  • אמינות/עמידות מוכחות, שרשרת אספקה ותמיכה עם איכות, אספקה ותמיכה של Microchip

יישומים

  • תעשייה: דחיפת מנועים, ריתוך, UPS, SMPS, חימום באינדוקציה
  • תחבורה/רכב: מטעני סוללות לרכב חשמלי (EV), מטענים על-הרכב, מערכות הנעה לרכב חשמלי היברידי (HEV), ממירי DC-DC, מיחזור אנרגיה
  • אנרגיה חכמה: ממירים פוטו-וולטאיים (PV), טורבינות רוח
  • רפואה: ספקי כוח MRI, ספקי כוח רנטגן
  • תעופה מסחרית: הפעלה (Actuation‏), מיזוג אוויר, פילוג כוח
  • הגנה וביטחון: כונני מנועים, ספקי כוח עזר ומערכות רכב משולבות

Diodes - Bridge Rectifiers

תמונהמק"ט יצרןתיאורכמות זמינהמחירהצגת הפרטים
BRIDGE RECT 3PHASE 700V 50AMSCDC50X701AGBRIDGE RECT 3PHASE 700V 50Aמיידית - 7$306.41הצגת הפרטים
BRIDGE RECT 1PHASE 1.7KV 50AMSCDC50H1701AGBRIDGE RECT 1PHASE 1.7KV 50Aמיידית - 7$574.86הצגת הפרטים
BRIDGE RECT 1P 700V 50A SOT227MSC50DC70HJBRIDGE RECT 1P 700V 50A SOT227מיידית - 15$164.94הצגת הפרטים
BRIDGE RECT 1P 1.7KV 100A SP6MSCDC100H170AGBRIDGE RECT 1P 1.7KV 100A SP6מיידית - 0$1,356.54הצגת הפרטים
BRIDGE RECT 1PHASE 700V 200A SP6MSCDC200H70AGBRIDGE RECT 1PHASE 700V 200A SP6מיידית - 2$929.83הצגת הפרטים

Diodes - Rectifiers - Arrays

תמונהמק"ט יצרןתיאורכמות זמינהמחירהצגת הפרטים
BRIDGE RECT 1P 1.7KV 50A SOT227MSC50DC170HJBRIDGE RECT 1P 1.7KV 50A SOT227מיידית - 0$509.34הצגת הפרטים
BRIDGE RECT 3PHASE 1.7KV 50AMSCDC50X1701AGBRIDGE RECT 3PHASE 1.7KV 50Aמיידית - 3$814.02הצגת הפרטים
BRIDGE RECT 1P 1.2KV 100A SP6MSCDC100H120AGBRIDGE RECT 1P 1.2KV 100A SP6מיידית - 0$793.08הצגת הפרטים
BRIDGE RECT 3PHASE 1.2KV 50AMSCDC50X1201AGBRIDGE RECT 3PHASE 1.2KV 50Aמיידית - 6$417.67הצגת הפרטים
BRIDGE RECT 1P 1.7KV 100A SP6MSCDC100H170AGBRIDGE RECT 1P 1.7KV 100A SP6מיידית - 0$1,356.54הצגת הפרטים

Diodes - Rectifiers - Single

תמונהמק"ט יצרןתיאורכמות זמינהמחירהצגת הפרטים
DIODE SIL CARB 700V 88A TO247-3MSC050SDA070BCTDIODE SIL CARB 700V 88A TO247-3מיידית - 274$53.01הצגת הפרטים
DIODE SIL CARB 1200V 109A TO2473MSC050SDA120BCTDIODE SIL CARB 1200V 109A TO2473מיידית - 91$117.75הצגת הפרטים
DIODE SIL CARB 700V 60A TO247-3MSC030SDA070BCTDIODE SIL CARB 700V 60A TO247-3מיידית - 0$25.88הצגת הפרטים
DIODE SIL CARB 1200V 65A TO2473MSC030SDA120BCTDIODE SIL CARB 1200V 65A TO2473מיידית - 24$73.00הצגת הפרטים
DIODE SIL CARB 1700V 136A TO247MSC050SDA170BDIODE SIL CARB 1700V 136A TO247מיידית - 82$152.88הצגת הפרטים

Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays

תמונהמק"ט יצרןתיאורכמות זמינהמחירהצגת הפרטים
MOSFET 6N-CH 700V 238A SP6-PMSCSM70TAM10CTPAGMOSFET 6N-CH 700V 238A SP6-Pמיידית - 0$2,031.46הצגת הפרטים
MOSFET 6N-CH 1200V 89A SP3FMSCSM120TAM31CT3AGMOSFET 6N-CH 1200V 89A SP3Fמיידית - 3$983.34הצגת הפרטים
MOSFET 2N-CH 700V 353A SP3FMSCSM70AM07CT3AGMOSFET 2N-CH 700V 353A SP3Fמיידית - 1$929.18הצגת הפרטים
MOSFET 6N-CH 1200V 251A SP6-PMSCSM120TAM11CTPAGMOSFET 6N-CH 1200V 251A SP6-Pמיידית - 1$2,760.09הצגת הפרטים
MOSFET 4N-CH 1200V 89A SP3FMSCSM120HM31CT3AGMOSFET 4N-CH 1200V 89A SP3Fמיידית - 0$693.04הצגת הפרטים

Transistors - FETs, MOSFETs – Single

תמונהמק"ט יצרןתיאורכמות זמינהמחירהצגת הפרטים
TRANS SJT N-CH 700V 77A TO247-4MSC035SMA070B4TRANS SJT N-CH 700V 77A TO247-4מיידית - 0$40.98הצגת הפרטים
SICFET N-CH 1.2KV 103A TO247-3MSC025SMA120BSICFET N-CH 1.2KV 103A TO247-3מיידית - 154$144.02הצגת הפרטים
SICFET N-CH 700V 131A TO247-3MSC015SMA070BSICFET N-CH 700V 131A TO247-3מיידית - 121$89.83הצגת הפרטים
SICFET N-CH 1200V 37A TO247-4MSC080SMA120B4SICFET N-CH 1200V 37A TO247-4מיידית - 23$33.16הצגת הפרטים
SICFET N-CH 1.2KV 89A SOT227MSC70SM120JCU3SICFET N-CH 1.2KV 89A SOT227מיידית - 13$197.35הצגת הפרטים
2021-11-01 תאריך הפרסום

Related Videos

What is a Diode? – ATM | DigiKey
What is a Diode? – ATM | DigiKey

תאריך פרסום: 2021-10-04

Related Product Highlight

High-Voltage Auxiliary E-Fuse Reference Design Microchip's auxiliary E-Fuse technology has risk reduction through reliability and accelerated development.
Next Generation SiC Schottky Barrier Diodes Microsemi announces the release of 1200 V, 10 A, and 20 A SiC Schottky barrier diode products with 30 A and 50 A SiC diodes coming soon.

Related Articles and Blogs

Using SiC Power Semiconductors to Increase the Efficiency of High-performance Switching Converters Using SiC Power Semiconductors to Increase the Efficiency
מוליכים-למחצה עם פער-אנרגיה (Bandgap‏) רחב משנים את עולם התחבורה סקטור התחבורה כולו עובר טרנספורמציה רדיקלית, עם פתרונות עבור מכוניות חשמליות והיברידיות והסעת המונים נקיה יותר.
מוליכים-למחצה עם פער-אנרגיה (Band Gap‏) רחב ביישומי תעופה-וחלל ולוויינים מוליכים-למחצה עם פער-אנרגיה (Band Gap‏) רחב (WBG‏) מביאים מספר יתרונות בהמרת הספק, כגון צפיפות הספק ונצילות משופרות, תוך הפחתת גודל ומשקל המערכת.