GaN ICs for Wireless Power
EPC's GaN semiconductors are the core of large surface area wireless power
EPC’s 100 V EPC2107 and 60 V EPC2108 eGaN half-bridge power integrated circuits with integrated bootstrap FET eliminate gate driver induced reverse recovery loses as well as the need for a high side clamp. Designed specifically for resonant wireless power transfer applications, these products enable rapid design of highly efficient end-use systems, setting the stage for mass adoption of wireless power circuits.
- Higher switching frequency
- Lower switching losses, lower parasitic inductance, and lower drive power
- Integrated design
- Increased efficiency, increased power density, reduced assembly costs
- Small footprint
- Low inductance, extremely small, 1.35 mm x 1.35 mm BGA surface-mount passivated die
- Wireless power for 5G
- Mobile devices
- Robots
- Industrial automation
- Medical equipment and automotive
GaN Semiconductors
תמונה | מק"ט יצרן | תיאור | כמות זמינה | מחיר | הצגת הפרטים | |
---|---|---|---|---|---|---|
![]() | ![]() | EPC2107 | MOSFET 3N-CH 100V 9BGA | מיידית - 4982 | $10.19 | הצגת הפרטים |
![]() | ![]() | EPC2108 | MOSFET 3N-CH 60V/100V 9BGA | מיידית - 736 | $9.19 | הצגת הפרטים |
Associated Development Boards
תמונה | מק"ט יצרן | תיאור | כמות זמינה | מחיר | הצגת הפרטים | |
---|---|---|---|---|---|---|
![]() | ![]() | EPC9511 | MULTI-MODE WIRELESS POWER AMPLIF | מיידית - 0 | $1,356.58 | הצגת הפרטים |
![]() | ![]() | EPC9121 | EVAL BRD EPC2036 EPC2038 EPC2107 | מיידית - 0 | See Page for Pricing | הצגת הפרטים |
![]() | ![]() | EPC9127 | EVAL BRD EPC2019 EPC2036 EPC2107 | מיידית - 0 | $3,255.78 | הצגת הפרטים |
![]() | ![]() | EPC9064 | EVAL BOARD FOR EPC2108 | מיידית - 0 | $709.40 | הצגת הפרטים |